Продукція > ONSEMI > SMMBTA06WT1G

SMMBTA06WT1G onsemi


mmbta06wt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 0.5A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.67 грн
6000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SMMBTA06WT1G onsemi

Description: TRANS NPN 80V 0.5A SC70-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 150 mW.

Інші пропозиції SMMBTA06WT1G за ціною від 5.35 грн до 23.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SMMBTA06WT1G SMMBTA06WT1G onsemi mmbta06wt1-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 0.5A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.51 грн
22+13.89 грн
100+8.69 грн
500+6.03 грн
1000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBTA06WT1G SMMBTA06WT1G onsemi mmbta06wt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 80V
на замовлення 3443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBTA06WT1G mmbta06wt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 0.5A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+23.51 грн
22+13.89 грн
100+8.69 грн
500+6.03 грн
1000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBTA06WT1G mmbta06wt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 80V
на замовлення 3443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.