Продукція > ONSEMI > SMMBTA13LT1G
SMMBTA13LT1G

SMMBTA13LT1G onsemi

mmbta13lt1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.86 грн
6000+2.46 грн
9000+2.31 грн
15000+2.01 грн
21000+1.92 грн
30000+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SMMBTA13LT1G onsemi

Description: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 125MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 225 mW.

Інші пропозиції SMMBTA13LT1G за ціною від 2.18 грн до 14.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SMMBTA13LT1G SMMBTA13LT1G Виробник : onsemi mmbta13lt1-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 36098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.02 грн
37+8.32 грн
100+5.17 грн
500+3.55 грн
1000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBTA13LT1G SMMBTA13LT1G Виробник : onsemi mmbta13lt1-d.pdf Darlington Transistors SS DL XSTR NPN 30V
на замовлення 9828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.62 грн
36+8.92 грн
100+4.85 грн
500+3.53 грн
1000+3.12 грн
3000+2.49 грн
6000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBTA13LT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0002809815-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - SMMBTA13LT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBTA13LT1G Виробник : ONSEMI mmbta13lt1-d.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 0.3A; 0.225W
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 125MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.