 
SMMBTA56LT1G ON Semiconductor
на замовлення 537000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 5358+ | 2.31 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SMMBTA56LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - SMMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024). 
Інші пропозиції SMMBTA56LT1G за ціною від 1.88 грн до 26.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | SMMBTA56LT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 210000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | SMMBTA56LT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 537000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | SMMBTA56LT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 15000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | SMMBTA56LT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | SMMBTA56LT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | SMMBTA56LT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 18000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | SMMBTA56LT1G | Виробник : onsemi |  Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 786000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | SMMBTA56LT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 21000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | SMMBTA56LT1G | Виробник : ONSEMI |  Description: ONSEMI - SMMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 20365 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | SMMBTA56LT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 21000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | SMMBTA56LT1G | Виробник : ONSEMI |  Description: ONSEMI - SMMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 20365 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | SMMBTA56LT1G | Виробник : onsemi |  Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 789168 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | SMMBTA56LT1G | Виробник : onsemi |  Bipolar Transistors - BJT SS DR XSTR SPCL TR | на замовлення 13861 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | SMMBTA56LT1G | Виробник : ONSEMI |  Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz Application: automotive industry | на замовлення 468 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | SMMBTA56LT1G | Виробник : ONSEMI |  Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 468 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | SMMBTA56LT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||||
|   | SMMBTA56LT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності |