Продукція > ONSEMI > SMMUN2211LT1G
SMMUN2211LT1G

SMMUN2211LT1G onsemi

dtc114e-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.22 грн
6000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SMMUN2211LT1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 246 mW, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Qualification: AEC-Q101, Resistors Included: R1 and R2.

Інші пропозиції SMMUN2211LT1G за ціною від 1.15 грн до 12.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SMMUN2211LT1G SMMUN2211LT1G ONSEMI MUN2211.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 10kΩ
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.29 грн
163+2.61 грн
500+1.87 грн
1000+1.62 грн
3000+1.29 грн
6000+1.15 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
SMMUN2211LT1G SMMUN2211LT1G onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 14265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.87 грн
44+7.09 грн
100+4.33 грн
500+2.95 грн
1000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
SMMUN2211LT1G SMMUN2211LT1G onsemi dtc114e-d.pdf Digital Transistors SS SOT23 BR XSTR SPCL TR
на замовлення 89878 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
26+12.72 грн
43+7.60 грн
100+4.08 грн
500+2.95 грн
1000+2.60 грн
3000+1.76 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
SMMUN2211LT1G ON Semiconductor dtc114e-d.pdf
на замовлення 5530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMMUN2211LT1G MUN2211.PDF
SMMUN2211LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 10kΩ
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+7.29 грн
163+2.61 грн
500+1.87 грн
1000+1.62 грн
3000+1.29 грн
6000+1.15 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
SMMUN2211LT1G dtc114e-d.pdf
SMMUN2211LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 14265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+11.87 грн
44+7.09 грн
100+4.33 грн
500+2.95 грн
1000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
SMMUN2211LT1G dtc114e-d.pdf
SMMUN2211LT1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors SS SOT23 BR XSTR SPCL TR
на замовлення 89878 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
Кількість Ціна
26+12.72 грн
43+7.60 грн
100+4.08 грн
500+2.95 грн
1000+2.60 грн
3000+1.76 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
SMMUN2211LT1G dtc114e-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 5530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.