SMMUN2216LT1G ON Semiconductor
Виробник: ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13275+ | 2.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SMMUN2216LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - SMMUN2216LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції SMMUN2216LT1G за ціною від 1.74 грн до 15.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SMMUN2216LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 156923 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SMMUN2216LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 Only |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SMMUN2216LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - SMMUN2216LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SMMUN2216LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 Only |
на замовлення 13328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SMMUN2216LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - SMMUN2216LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SMMUN2216LT1G | Виробник : onsemi |
Digital Transistors SS BR XSTR SPCL TR |
на замовлення 41598 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SMMUN2216LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SMMUN2216LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SMMUN2216LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
SMMUN2216LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |