Продукція > ONSEMI > SMSD1819A-RT1G

SMSD1819A-RT1G onsemi


msd1819a-rt1g.pdf
Виробник: onsemi
Description: SMSD1819 - GP XSTR NPN 50V AUTO
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Bulk
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
на замовлення 81000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9648+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 9648 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SMSD1819A-RT1G onsemi

Description: SMSD1819 - GP XSTR NPN 50V AUTO, Package / Case: SC-70, SOT-323, Packaging: Bulk, Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Power - Max: 150 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Operating Temperature: 150°C (TJ).

Інші пропозиції SMSD1819A-RT1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SMSD1819A-RT1G ON Semiconductor MSD1819A-RT1-D-1292980.pdf Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 50V
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMSD1819A-RT1G MSD1819A-RT1-D-1292980.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 50V
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.