
SMUN5111T1G ONSEMI

Description: ONSEMI - SMUN5111T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 14210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
500+ | 2.45 грн |
1000+ | 1.91 грн |
5000+ | 1.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SMUN5111T1G ONSEMI
Description: ONSEMI - SMUN5111T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції SMUN5111T1G за ціною від 1.56 грн до 22.24 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SMUN5111T1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 202 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
SMUN5111T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 28300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
SMUN5111T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 14210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
SMUN5111T1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 202 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 14662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
SMUN5111T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 28300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
SMUN5111T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 10711 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
SMUN5111T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
![]() |
SMUN5111T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
![]() |
SMUN5111T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.31W Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Application: automotive industry Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
![]() |
SMUN5111T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.31W Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Application: automotive industry Base-emitter resistor: 10kΩ |
товару немає в наявності |