Продукція > ONSEMI > SMUN5111T1G
SMUN5111T1G

SMUN5111T1G onsemi

dta114e-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Resistors Included: R1 and R2
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.71 грн
6000+2.33 грн
9000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SMUN5111T1G onsemi

Description: ONSEMI - SMUN5111T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SC-70, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції SMUN5111T1G за ціною від 2.59 грн до 27.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SMUN5111T1G SMUN5111T1G ON Semiconductor dta114e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 28300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1812+7.76 грн
1830+7.68 грн
1848+7.61 грн
2618+5.18 грн
3927+3.19 грн
6000+2.62 грн
15000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 1812 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5111T1G SMUN5111T1G onsemi dta114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Resistors Included: R1 and R2
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13.86 грн
38+8.01 грн
100+4.95 грн
500+3.38 грн
1000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5111T1G SMUN5111T1G ON Semiconductor dta114e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 28300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+27.57 грн
35+21.54 грн
36+21.08 грн
100+7.48 грн
250+6.86 грн
500+6.52 грн
1000+4.60 грн
3000+3.07 грн
6000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5111T1G SMUN5111T1G onsemi dta114e-d.pdf Digital Transistors SRFC MNT BIAS RESTR TRANS
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 371-380 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5111T1G SMUN5111T1G ONSEMI 2705098.pdf Description: ONSEMI - SMUN5111T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5111T1G SMUN5111T1G ONSEMI 2705098.pdf Description: ONSEMI - SMUN5111T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5111T1G ON Semiconductor dta114e-d.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5111T1G dta114e-d.pdf
SMUN5111T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 28300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1812+7.76 грн
1830+7.68 грн
1848+7.61 грн
2618+5.18 грн
3927+3.19 грн
6000+2.62 грн
15000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 1812 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5111T1G dta114e-d.pdf
SMUN5111T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Resistors Included: R1 and R2
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+13.86 грн
38+8.01 грн
100+4.95 грн
500+3.38 грн
1000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5111T1G dta114e-d.pdf
SMUN5111T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 28300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+27.57 грн
35+21.54 грн
36+21.08 грн
100+7.48 грн
250+6.86 грн
500+6.52 грн
1000+4.60 грн
3000+3.07 грн
6000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5111T1G dta114e-d.pdf
SMUN5111T1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors SRFC MNT BIAS RESTR TRANS
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 371-380 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5111T1G 2705098.pdf
SMUN5111T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMUN5111T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5111T1G 2705098.pdf
SMUN5111T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMUN5111T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5111T1G dta114e-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.