Продукція > ONSEMI > SMUN5111T1G
SMUN5111T1G

SMUN5111T1G ONSEMI

dta114e-d.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMUN5111T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 14210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.52 грн
1000+1.96 грн
5000+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SMUN5111T1G ONSEMI

Description: ONSEMI - SMUN5111T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції SMUN5111T1G за ціною від 1.60 грн до 25.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SMUN5111T1G SMUN5111T1G Виробник : onsemi dta114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.88 грн
6000+2.47 грн
9000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5111T1G SMUN5111T1G Виробник : ON Semiconductor dta114e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 28300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1812+6.75 грн
1830+6.69 грн
1848+6.62 грн
2618+4.51 грн
3927+2.78 грн
6000+2.28 грн
15000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 1812
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5111T1G SMUN5111T1G Виробник : ONSEMI dta114e-d.pdf Description: ONSEMI - SMUN5111T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 14210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
78+10.92 грн
130+6.52 грн
271+3.13 грн
500+2.52 грн
1000+1.96 грн
5000+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 78
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5111T1G SMUN5111T1G Виробник : onsemi dta114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 14662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.69 грн
38+8.49 грн
100+5.25 грн
500+3.59 грн
1000+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5111T1G SMUN5111T1G Виробник : ON Semiconductor dta114e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 28300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+25.72 грн
35+20.09 грн
36+19.66 грн
100+6.98 грн
250+6.40 грн
500+6.08 грн
1000+4.29 грн
3000+2.86 грн
6000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5111T1G SMUN5111T1G Виробник : ON Semiconductor DTA114E-D-1773641.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased SRFC MNT BIAS RESTR TRANS
на замовлення 10711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5111T1G Виробник : ON Semiconductor dta114e-d.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5111T1G SMUN5111T1G Виробник : ON Semiconductor dta114e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5111T1G Виробник : ONSEMI dta114e-d.pdf SMUN5111T1G PNP SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.