SMUN5111T1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.88 грн |
| 6000+ | 2.48 грн |
| 9000+ | 2.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SMUN5111T1G onsemi
Description: ONSEMI - SMUN5111T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SC-70, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції SMUN5111T1G за ціною від 2.23 грн до 25.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SMUN5111T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - SMUN5111T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SC-70 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 13450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SMUN5111T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 28300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SMUN5111T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 202 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 14662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SMUN5111T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - SMUN5111T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SC-70 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 13450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SMUN5111T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 28300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SMUN5111T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Bipolar Transistors - Pre-Biased SRFC MNT BIAS RESTR TRANS |
на замовлення 10711 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
| SMUN5111T1G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
|
|
SMUN5111T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
| SMUN5111T1G | Виробник : ONSEMI |
SMUN5111T1G PNP SMD transistors |
товару немає в наявності |