Продукція > ONSEMI > SMUN5211DW1T1G
SMUN5211DW1T1G

SMUN5211DW1T1G onsemi

dtc114ed-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.54 грн
6000+ 3.16 грн
9000+ 2.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SMUN5211DW1T1G onsemi

Description: ONSEMI - SMUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції SMUN5211DW1T1G за ціною від 2.34 грн до 29.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SMUN5211DW1T1G SMUN5211DW1T1G Виробник : ONSEMI dtc114ed-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 10kΩ; R2: 10kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 10kΩ
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
80+5.09 грн
100+ 3.57 грн
Мінімальне замовлення: 80
SMUN5211DW1T1G SMUN5211DW1T1G Виробник : ONSEMI dtc114ed-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 10kΩ; R2: 10kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+6.11 грн
60+ 4.45 грн
250+ 3.79 грн
290+ 3.35 грн
800+ 3.17 грн
Мінімальне замовлення: 50
SMUN5211DW1T1G SMUN5211DW1T1G Виробник : onsemi dtc114ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 29519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+20.94 грн
20+ 13.91 грн
100+ 6.79 грн
500+ 5.31 грн
1000+ 3.69 грн
Мінімальне замовлення: 14
SMUN5211DW1T1G SMUN5211DW1T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013903362-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SMUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+29.43 грн
33+ 23.37 грн
Мінімальне замовлення: 26
SMUN5211DW1T1G SMUN5211DW1T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013903362-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SMUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SMUN5211DW1T1G Виробник : onsemi DTC114ED_D-2310747.pdf Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 34610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+22.43 грн
20+ 15.59 грн
100+ 8.55 грн
1000+ 3.81 грн
2500+ 3.27 грн
10000+ 2.54 грн
30000+ 2.34 грн
Мінімальне замовлення: 14
SMUN5211DW1T1G dtc114ed-d.pdf
на замовлення 774000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)