Продукція > ONSEMI > SMUN5211DW1T1G

SMUN5211DW1T1G ONSEMI

Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SMUN5211DW1T1G ONSEMI

Description: ONSEMI - SMUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції SMUN5211DW1T1G

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
SMUN5211DW1T1G	ONSEMI	Description: ONSEMI - SMUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V euEccn: NLR Verlustleistung: 385mW Bauform - Transistor: SOT-363 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)	на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 38 шт В кошику од. на суму грн.
SMUN5211DW1T1G			на замовлення 774000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SMUN5211DW1T1G	onsemi	Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V	на замовлення 218 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.

SMUN5211DW1T1G

ONSM-S-A0013903362-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 38 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 38 шт

В кошику од. на суму грн.

SMUN5211DW1T1G

на замовлення 774000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SMUN5211DW1T1G

Виробник: onsemi
Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V

на замовлення 218 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.