Продукція > ONSEMI > SMUN5211T1G
SMUN5211T1G

SMUN5211T1G onsemi

dtc114e-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.75 грн
6000+2.36 грн
9000+2.22 грн
15000+1.93 грн
21000+1.83 грн
30000+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SMUN5211T1G onsemi

Description: ONSEMI - SMUN5211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SMUN5211T1G за ціною від 1.81 грн до 16.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SMUN5211T1G SMUN5211T1G Виробник : ONSEMI dtc114e-d.pdf Description: ONSEMI - SMUN5211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.21 грн
1500+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5211T1G SMUN5211T1G Виробник : onsemi DTC114E_D-1773690.pdf Digital Transistors SS BR XSTR SPCL TR
на замовлення 56595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+13.50 грн
44+8.00 грн
100+4.46 грн
500+3.48 грн
1000+2.50 грн
3000+1.97 грн
6000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5211T1G SMUN5211T1G Виробник : onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 60272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.90 грн
39+8.11 грн
100+5.02 грн
500+3.43 грн
1000+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5211T1G SMUN5211T1G Виробник : ONSEMI dtc114e-d.pdf Description: ONSEMI - SMUN5211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
53+16.20 грн
73+11.62 грн
117+7.29 грн
500+4.21 грн
1500+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5211T1G SMUN5211T1G Виробник : ON Semiconductor mun5211t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5211T1G Виробник : ONSEMI dtc114e-d.pdf SMUN5211T1G NPN SMD transistors
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
62+4.93 грн
320+3.51 грн
870+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114e-d.pdf
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.