 
SMUN5213DW1T1G onsemi
 Виробник: onsemi
                                                Виробник: onsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 3000+ | 4.38 грн | 
| 6000+ | 3.79 грн | 
| 9000+ | 3.57 грн | 
| 15000+ | 3.12 грн | 
| 21000+ | 2.98 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SMUN5213DW1T1G onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 187mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 47kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101. 
Інші пропозиції SMUN5213DW1T1G за ціною від 2.90 грн до 27.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | SMUN5213DW1T1G | Виробник : onsemi |  Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 187mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 29908 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|  | SMUN5213DW1T1G | Виробник : onsemi |  Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V | на замовлення 29156 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | SMUN5213DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 15000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
| SMUN5213DW1T1G |   | на замовлення 225000 шт:термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| SMUN5213DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |  Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V | на замовлення 6534 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) |