Продукція > ONSEMI > SMUN5213DW1T1G
SMUN5213DW1T1G

SMUN5213DW1T1G onsemi

dtc144ed-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.33 грн
6000+3.74 грн
9000+3.53 грн
15000+3.08 грн
21000+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SMUN5213DW1T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 187mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 47kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SMUN5213DW1T1G за ціною від 2.87 грн до 27.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SMUN5213DW1T1G SMUN5213DW1T1G Виробник : onsemi dtc144ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 29908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+21.22 грн
26+12.34 грн
100+7.71 грн
500+5.32 грн
1000+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5213DW1T1G SMUN5213DW1T1G Виробник : onsemi DTC144ED_D-2310750.pdf Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 29156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+27.03 грн
19+18.74 грн
100+10.34 грн
1000+4.53 грн
3000+4.00 грн
9000+3.02 грн
24000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5213DW1T1G SMUN5213DW1T1G Виробник : ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5213DW1T1G dtc144ed-d.pdf
на замовлення 225000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5213DW1T1G Виробник : ON Semiconductor DTC144ED_D-2310750.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 6534 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5213DW1T1G Виробник : ONSEMI dtc144ed-d.pdf SMUN5213DW1T1G NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.