Продукція > ONSEMI > SMUN5213T1G
SMUN5213T1G

SMUN5213T1G onsemi


dtc144e-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SMUN5213T1G onsemi

Description: ONSEMI - SMUN5213T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SMUN5213T1G за ціною від 2.60 грн до 24.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SMUN5213T1G SMUN5213T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013750033-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SMUN5213T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.97 грн
1000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5213T1G SMUN5213T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013750033-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SMUN5213T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
66+12.80 грн
121+6.95 грн
250+3.36 грн
500+2.97 грн
1000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5213T1G SMUN5213T1G Виробник : onsemi dtc144e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.52 грн
36+8.70 грн
100+5.36 грн
500+3.67 грн
1000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5213T1G SMUN5213T1G Виробник : ON Semiconductor dtc144e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5213T1G Виробник : onsemi DTC144E_D-2310824.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR SPCL TR
на замовлення 38520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+24.54 грн
18+19.82 грн
100+9.70 грн
500+6.79 грн
1000+4.62 грн
3000+3.13 грн
9000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5213T1G dtc144e-d.pdf
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5213T1G Виробник : ONSEMI dtc144e-d.pdf SMUN5213T1G NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.