Продукція > ONSEMI > SMUN5214DW1T1G

SMUN5214DW1T1G onsemi


dtc114yd-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+4.19 грн
6000+3.63 грн
9000+3.42 грн
15000+2.98 грн
21000+2.85 грн
30000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SMUN5214DW1T1G onsemi

Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 187mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SMUN5214DW1T1G за ціною від 2.44 грн до 20.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SMUN5214DW1T1G SMUN5214DW1T1G onsemi DTC114YD-D.PDF Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 31655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+16.13 грн
34+9.64 грн
100+5.80 грн
500+4.54 грн
1000+3.56 грн
3000+2.65 грн
6000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5214DW1T1G SMUN5214DW1T1G onsemi dtc114yd-d.pdf Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 187mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
на замовлення 30464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.42 грн
26+11.95 грн
100+7.47 грн
500+5.16 грн
1000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5214DW1T1G DTC114YD-D.PDF
Виробник: onsemi
Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 31655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
21+16.13 грн
34+9.64 грн
100+5.80 грн
500+4.54 грн
1000+3.56 грн
3000+2.65 грн
6000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5214DW1T1G dtc114yd-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 187mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
на замовлення 30464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
16+20.42 грн
26+11.95 грн
100+7.47 грн
500+5.16 грн
1000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.