Продукція > ON SEMICONDUCTOR > SMUN5214DW1T1G
SMUN5214DW1T1G

SMUN5214DW1T1G ON Semiconductor

mun5211dw1t1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 171000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SMUN5214DW1T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - SMUN5214DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SMUN5214DW1T1G за ціною від 2.64 грн до 22.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SMUN5214DW1T1G SMUN5214DW1T1G Виробник : onsemi dtc114yd-d.pdf Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.41 грн
6000+3.81 грн
9000+3.59 грн
15000+3.14 грн
21000+3.00 грн
30000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5214DW1T1G SMUN5214DW1T1G Виробник : ONSEMI dtc114yd-d.pdf Description: ONSEMI - SMUN5214DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.69 грн
1000+3.08 грн
5000+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5214DW1T1G SMUN5214DW1T1G Виробник : ONSEMI dtc114yd-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 10kΩ; R2: 47kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+8.57 грн
100+7.80 грн
250+7.48 грн
500+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5214DW1T1G SMUN5214DW1T1G Виробник : ONSEMI dtc114yd-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 10kΩ; R2: 47kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
30+10.28 грн
100+9.71 грн
250+8.97 грн
500+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5214DW1T1G SMUN5214DW1T1G Виробник : onsemi DTC114YD-D.PDF Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 31655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+17.64 грн
34+10.54 грн
100+6.34 грн
500+4.96 грн
1000+3.89 грн
3000+2.90 грн
6000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5214DW1T1G SMUN5214DW1T1G Виробник : onsemi dtc114yd-d.pdf Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+21.48 грн
26+12.57 грн
100+7.85 грн
500+5.42 грн
1000+4.79 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5214DW1T1G SMUN5214DW1T1G Виробник : ONSEMI dtc114yd-d.pdf Description: ONSEMI - SMUN5214DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
39+22.02 грн
64+13.54 грн
134+6.43 грн
500+4.69 грн
1000+3.08 грн
5000+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5214DW1T1G Виробник : ONSEMI DTC114YD-D.PDF Description: ONSEMI - SMUN5214DW1T1G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.