Продукція > ONSEMI > SMUN5214T1G
SMUN5214T1G

SMUN5214T1G onsemi

dtc114y-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.82 грн
6000+2.42 грн
9000+2.28 грн
15000+1.98 грн
21000+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SMUN5214T1G onsemi

Description: ONSEMI - SMUN5214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: MUN5214 Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції SMUN5214T1G за ціною від 2.77 грн до 13.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SMUN5214T1G SMUN5214T1G ONSEMI dtc114y-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.31W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Application: automotive industry
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SC70; SOT323
Collector current: 0.1A
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
36+12.42 грн
43+9.72 грн
49+8.57 грн
72+5.73 грн
100+4.79 грн
500+3.26 грн
1000+2.82 грн
1500+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5214T1G SMUN5214T1G onsemi dtc114y-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 24016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13.86 грн
36+8.30 грн
100+5.15 грн
500+3.52 грн
1000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5214T1G SMUN5214T1G ONSEMI DTC114Y-D.PDF Description: ONSEMI - SMUN5214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MUN5214 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 15970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5214T1G SMUN5214T1G ONSEMI DTC114Y-D.PDF Description: ONSEMI - SMUN5214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MUN5214 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 15970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5214T1G ON Semiconductor dtc114y-d.pdf
на замовлення 1583971 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5214T1G onsemi dtc114y-d.pdf Digital Transistors SS SC70 BR XSTR SPCL TR
на замовлення 13770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5214T1G dtc114y-d.pdf
SMUN5214T1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.31W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Application: automotive industry
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SC70; SOT323
Collector current: 0.1A
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+12.42 грн
43+9.72 грн
49+8.57 грн
72+5.73 грн
100+4.79 грн
500+3.26 грн
1000+2.82 грн
1500+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5214T1G dtc114y-d.pdf
SMUN5214T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 24016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+13.86 грн
36+8.30 грн
100+5.15 грн
500+3.52 грн
1000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5214T1G DTC114Y-D.PDF
SMUN5214T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMUN5214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MUN5214 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 15970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5214T1G DTC114Y-D.PDF
SMUN5214T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMUN5214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MUN5214 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 15970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5214T1G dtc114y-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 1583971 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5214T1G dtc114y-d.pdf
Виробник: onsemi
Digital Transistors SS SC70 BR XSTR SPCL TR
на замовлення 13770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.