 
SMUN5214T1G onsemi
 Виробник: onsemi
                                                Виробник: onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 3000+ | 3.03 грн | 
| 6000+ | 2.60 грн | 
| 9000+ | 2.44 грн | 
| 15000+ | 2.12 грн | 
| 21000+ | 2.02 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SMUN5214T1G onsemi
Description: ONSEMI - SMUN5214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: MUN5214 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024). 
Інші пропозиції SMUN5214T1G за ціною від 1.76 грн до 17.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | SMUN5214T1G | Виробник : ONSEMI |  Description: ONSEMI - SMUN5214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: MUN5214 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 17035 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | SMUN5214T1G | Виробник : ONSEMI |  Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323 Kind of transistor: BRT Case: SC70; SOT323 Type of transistor: NPN Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.31W Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Application: automotive industry Polarisation: bipolar | на замовлення 2730 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | SMUN5214T1G | Виробник : ONSEMI |  Description: ONSEMI - SMUN5214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: MUN5214 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 17035 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | SMUN5214T1G | Виробник : ONSEMI |  Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323 Kind of transistor: BRT Case: SC70; SOT323 Type of transistor: NPN Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.31W Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Application: automotive industry Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2730 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | SMUN5214T1G | Виробник : onsemi |  Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 202 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 24016 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | SMUN5214T1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 18000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
| SMUN5214T1G | Виробник : onsemi |  Digital Transistors SS SC70 BR XSTR SPCL TR | на замовлення 46218 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||||
| SMUN5214T1G | Виробник : ON Semiconductor |   | на замовлення 1583971 шт:термін постачання 14-28 дні (днів) |