Продукція > ONSEMI > SMUN5216DW1T1G

SMUN5216DW1T1G onsemi


DTC143TD_D-2310950.pdf Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 929 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+25.94 грн
15+ 20.88 грн
100+ 12.35 грн
500+ 9.35 грн
1000+ 6.94 грн
3000+ 6.34 грн
9000+ 5.61 грн
Мінімальне замовлення: 13
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SMUN5216DW1T1G onsemi

Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 187mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363.

Інші пропозиції SMUN5216DW1T1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SMUN5216DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc143td-d.pdf
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SMUN5216DW1T1G SMUN5216DW1T1G Виробник : ONSEMI dtc143td-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; 4.7kΩ
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN x2
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 4.7kΩ
Case: SC70-6; SC88; SOT363
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
SMUN5216DW1T1G SMUN5216DW1T1G Виробник : onsemi dtc143td-d.pdf Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товар відсутній
SMUN5216DW1T1G SMUN5216DW1T1G Виробник : onsemi dtc143td-d.pdf Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товар відсутній
SMUN5216DW1T1G Виробник : onsemi dtc143td-d.pdf Description: DUAL NPN BIPOLAR DIGITAL TRANSIS
Packaging: Bulk
товар відсутній
SMUN5216DW1T1G SMUN5216DW1T1G Виробник : ONSEMI dtc143td-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; 4.7kΩ
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN x2
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 4.7kΩ
Case: SC70-6; SC88; SOT363
товар відсутній