Продукція > ONSEMI > SMUN5235DW1T3G

SMUN5235DW1T3G onsemi


dtc123jd-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 187mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+24.58 грн
20+15.96 грн
100+7.80 грн
500+6.11 грн
1000+4.24 грн
2000+3.68 грн
5000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SMUN5235DW1T3G onsemi

Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Resistor - Base (R1): 2.2kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 187mW, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363.

Інші пропозиції SMUN5235DW1T3G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SMUN5235DW1T3G SMUN5235DW1T3G onsemi dtc123jd-d.pdf Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 187mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5235DW1T3G onsemi dtc123jd-d.pdf Digital Transistors LESHANBE SS SC88 BR XSTR
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5235DW1T3G SMUN5235DW1T3G ONSEMI dtc123jd-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 47kΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5235DW1T3G dtc123jd-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 187mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5235DW1T3G dtc123jd-d.pdf
Виробник: onsemi
Digital Transistors LESHANBE SS SC88 BR XSTR
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5235DW1T3G dtc123jd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 47kΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.