Продукція > ONSEMI > SMUN5235DW1T3G
SMUN5235DW1T3G

SMUN5235DW1T3G onsemi


dtc123jd-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.30 грн
20+16.43 грн
100+8.03 грн
500+6.29 грн
1000+4.37 грн
2000+3.79 грн
5000+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SMUN5235DW1T3G onsemi

Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 187mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 2.2kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SMUN5235DW1T3G за ціною від 2.41 грн до 27.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SMUN5235DW1T3G Виробник : onsemi DTC123JD_D-2311149.pdf Digital Transistors Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
на замовлення 8600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+27.82 грн
19+18.74 грн
100+6.64 грн
1000+4.07 грн
2500+3.70 грн
10000+2.72 грн
20000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5235DW1T3G Виробник : ONSEMI dtc123jd-d.pdf SMUN5235DW1T3G NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5235DW1T3G SMUN5235DW1T3G Виробник : onsemi dtc123jd-d.pdf Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.