Продукція > ONSEMI > SMUN5235T1G
SMUN5235T1G

SMUN5235T1G onsemi

dtc123j-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.85 грн
6000+2.45 грн
9000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SMUN5235T1G onsemi

Description: ONSEMI - SMUN5235T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SC-70, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції SMUN5235T1G за ціною від 2.06 грн до 15.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SMUN5235T1G SMUN5235T1G Виробник : ONSEMI 2353819.pdf Description: ONSEMI - SMUN5235T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.01 грн
1000+2.86 грн
5000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5235T1G SMUN5235T1G Виробник : onsemi dtc123j-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+14.01 грн
38+8.41 грн
100+5.19 грн
500+3.55 грн
1000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5235T1G SMUN5235T1G Виробник : ONSEMI 2353819.pdf Description: ONSEMI - SMUN5235T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
56+15.47 грн
90+9.57 грн
144+5.95 грн
500+4.01 грн
1000+2.86 грн
5000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5235T1G Виробник : onsemi DTC123J_D-1387473.pdf Digital Transistors SS BR XSTR PNP 50V
на замовлення 11493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+15.20 грн
39+9.11 грн
100+5.03 грн
500+3.66 грн
1000+2.82 грн
3000+2.44 грн
6000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5235T1G Виробник : ONSEMI dtc123j-d.pdf SMUN5235T1G NPN SMD transistors
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.98 грн
291+3.87 грн
800+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5235T1G Виробник : ON Semiconductor dtc123j-d.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.