Продукція > ONSEMI > SMUN5311DW1T1G
SMUN5311DW1T1G

SMUN5311DW1T1G onsemi

dtc114ep-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.68 грн
6000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SMUN5311DW1T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SMUN5311DW1T1G за ціною від 3.76 грн до 19.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SMUN5311DW1T1G SMUN5311DW1T1G ONSEMI dtc114ep-d.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Mounting: SMD
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Application: automotive industry
Type of transistor: NPN / PNP
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 10kΩ
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
на замовлення 1883 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+17.74 грн
33+12.85 грн
38+11.12 грн
54+7.69 грн
100+6.56 грн
500+4.64 грн
1000+4.05 грн
1500+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5311DW1T1G SMUN5311DW1T1G onsemi dtc114ep-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 43798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.24 грн
27+11.19 грн
100+6.97 грн
500+4.81 грн
1000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5311DW1T1G SMUN5311DW1T1G onsemi dtc114ep-d.pdf Digital Transistors SS BR XSTR DUAL 50V
на замовлення 11868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5311DW1T1G ON Semiconductor dtc114ep-d.pdf
на замовлення 9016 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5311DW1T1G dtc114ep-d.pdf
SMUN5311DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Mounting: SMD
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Application: automotive industry
Type of transistor: NPN / PNP
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 10kΩ
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
на замовлення 1883 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+17.74 грн
33+12.85 грн
38+11.12 грн
54+7.69 грн
100+6.56 грн
500+4.64 грн
1000+4.05 грн
1500+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5311DW1T1G dtc114ep-d.pdf
SMUN5311DW1T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 43798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+19.24 грн
27+11.19 грн
100+6.97 грн
500+4.81 грн
1000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5311DW1T1G dtc114ep-d.pdf
SMUN5311DW1T1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors SS BR XSTR DUAL 50V
на замовлення 11868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5311DW1T1G dtc114ep-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 9016 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.