| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 23.35 грн |
| 21+ | 15.89 грн |
| 100+ | 8.74 грн |
| 500+ | 5.50 грн |
| 1000+ | 4.86 грн |
| 3000+ | 4.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SMUN5312DW1T1G onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 187mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SMUN5312DW1T1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| SMUN5312DW1T1G | ON Semiconductor |
 |
на замовлення 1330 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SMUN5312DW1T1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)