Продукція > ONSEMI > SMUN5314DW1T1G
SMUN5314DW1T1G

SMUN5314DW1T1G onsemi

dtc114yp-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.95 грн
6000+3.42 грн
9000+3.22 грн
15000+2.81 грн
21000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SMUN5314DW1T1G onsemi

Description: ONSEMI - SMUN5314DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SMUN5314DW1T1G за ціною від 2.25 грн до 19.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SMUN5314DW1T1G SMUN5314DW1T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0011215035-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SMUN5314DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 23610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
66+12.45 грн
98+8.38 грн
146+5.59 грн
500+4.94 грн
1000+4.33 грн
5000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5314DW1T1G SMUN5314DW1T1G Виробник : ONSEMI dtc114yp-d.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 80...140
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
35+12.70 грн
40+10.58 грн
100+9.37 грн
105+8.47 грн
290+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5314DW1T1G SMUN5314DW1T1G Виробник : onsemi dtc114yp-d.pdf Digital Transistors SS BR XSTR DUAL 50V
на замовлення 66930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.87 грн
39+8.60 грн
100+4.93 грн
1000+4.50 грн
3000+2.83 грн
9000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5314DW1T1G SMUN5314DW1T1G Виробник : ONSEMI dtc114yp-d.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 80...140
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 570 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.24 грн
25+13.19 грн
100+11.25 грн
105+10.16 грн
290+9.62 грн
3000+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5314DW1T1G SMUN5314DW1T1G Виробник : onsemi dtc114yp-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+19.62 грн
27+11.26 грн
100+7.05 грн
500+4.86 грн
1000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5314DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114yp-d.pdf
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5314DW1T1G SMUN5314DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114yp-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.