SMUN5314DW1T1G ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 80...140
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Application: automotive industry
Type of transistor: NPN / PNP
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 27+ | 17.36 грн |
| 38+ | 11.20 грн |
| 44+ | 9.67 грн |
| 100+ | 8.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SMUN5314DW1T1G ONSEMI
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 187mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SMUN5314DW1T1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| SMUN5314DW1T1G | ON Semiconductor |
|
на замовлення 2850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SMUN5314DW1T1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)