Продукція > ONSEMI > SMUN5330DW1T1G

SMUN5330DW1T1G onsemi

Виробник: onsemi
Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V

на замовлення 7593 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
15+	26.21 грн
17+	21.56 грн
3000+	4.51 грн
6000+	3.64 грн
9000+	2.77 грн
24000+	2.61 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SMUN5330DW1T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 187mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 1kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SMUN5330DW1T1G

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
SMUN5330DW1T1G	Виробник : onsemi	Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 187mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 1kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SMUN5330DW1T1G	Виробник : onsemi	Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 187mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 1kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SMUN5330DW1T1G	Виробник : ONSEMI	Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 1kΩ Application: automotive industry Base-emitter resistor: 1kΩ	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.