Продукція > ONSEMI > SMUN5335DW1T1G
SMUN5335DW1T1G

SMUN5335DW1T1G onsemi


dtc123jp-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.11 грн
6000+3.55 грн
9000+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SMUN5335DW1T1G onsemi

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 187mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 2.2kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SMUN5335DW1T1G за ціною від 2.57 грн до 20.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SMUN5335DW1T1G SMUN5335DW1T1G Виробник : onsemi dtc123jp-d.pdf Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.41 грн
27+11.71 грн
100+7.33 грн
500+5.06 грн
1000+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5335DW1T1G SMUN5335DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc123jp-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5335DW1T1G Виробник : onsemi dtc123jp-d.pdf Digital Transistors SS BR XSTR DUAL 50V
на замовлення 19538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+15.05 грн
41+8.59 грн
100+4.45 грн
1000+4.07 грн
3000+3.09 грн
9000+2.64 грн
24000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5335DW1T1G Виробник : ONSEMI dtc123jp-d.pdf SMUN5335DW1T1G Complementary transistors
на замовлення 4895 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
19+16.76 грн
110+10.47 грн
295+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.