Продукція > ONSEMI > SMUN5335DW1T2G
SMUN5335DW1T2G

SMUN5335DW1T2G onsemi

dtc123jp-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.61 грн
6000+3.12 грн
9000+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SMUN5335DW1T2G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 187mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 2.2kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SMUN5335DW1T2G за ціною від 2.91 грн до 18.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SMUN5335DW1T2G SMUN5335DW1T2G Виробник : onsemi dtc123jp-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+17.91 грн
30+10.27 грн
100+6.43 грн
500+4.44 грн
1000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5335DW1T2G Виробник : onsemi DTC123JP-D.PDF Digital Transistors SS BR XSTR DL SPCL
на замовлення 7401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.74 грн
29+11.07 грн
100+6.09 грн
500+4.50 грн
1000+3.95 грн
3000+3.18 грн
6000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5335DW1T2G SMUN5335DW1T2G Виробник : ONSEMI dtc123jp-d.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 47kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.