SN7002NH6327XTSA2


infineon-sn7002n-datasheet-en.pdf
Код товару: 170646
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SN7002NH6327XTSA2 за ціною від 2.69 грн до 30.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SN7002NH6327XTSA2 SN7002NH6327XTSA2 Infineon Technologies infineon-sn7002n-datasheet-v02_07-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.42 грн
9000+3.63 грн
24000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002NH6327XTSA2 SN7002NH6327XTSA2 Infineon Technologies infineon-sn7002n-datasheet-v02_07-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3261+4.44 грн
9000+3.65 грн
24000+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 3261 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002NH6327XTSA2 SN7002NH6327XTSA2 Infineon Technologies infineon-sn7002n-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.62 грн
9000+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002NH6327XTSA2 SN7002NH6327XTSA2 Infineon Technologies infineon-sn7002n-datasheet-v02_07-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 52935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2041+7.10 грн
2236+6.48 грн
2605+5.56 грн
2748+5.09 грн
3000+4.40 грн
12000+3.97 грн
24000+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 2041 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002NH6327XTSA2 SN7002NH6327XTSA2 Infineon Technologies infineon-sn7002n-datasheet-v02_07-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 34659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
932+15.56 грн
1751+8.28 грн
2159+6.71 грн
2385+5.86 грн
3145+4.11 грн
6000+3.53 грн
9000+2.90 грн
15000+2.87 грн
21000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 932 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002NH6327XTSA2 SN7002NH6327XTSA2 Infineon Technologies infineon-sn7002n-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 111418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.17 грн
20+15.62 грн
50+11.29 грн
100+9.23 грн
500+6.84 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002NH6327XTSA2 SN7002NH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES SN7002NH6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.36W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 0.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
на замовлення 9050 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.52 грн
26+16.53 грн
50+11.11 грн
100+9.11 грн
244+3.90 грн
669+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002NH6327XTSA2 SN7002NH6327XTSA2 Infineon Technologies infineon_sn7002n_datasheet_en.pdf MOSFETs N-Ch 60V 200mA SOT-23-3
на замовлення 34405 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
11+30.31 грн
18+17.86 грн
100+10.82 грн
500+7.21 грн
1000+6.62 грн
3000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002NH6327XTSA2 SN7002NH6327XTSA2 INFINEON infineon-sn7002n-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - SN7002NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SipMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
на замовлення 6416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002NH6327XTSA2 infineon-sn7002n-datasheet-v02_07-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.42 грн
9000+3.63 грн
24000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002NH6327XTSA2 infineon-sn7002n-datasheet-v02_07-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3261+4.44 грн
9000+3.65 грн
24000+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 3261 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002NH6327XTSA2 infineon-sn7002n-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.62 грн
9000+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002NH6327XTSA2 infineon-sn7002n-datasheet-v02_07-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 52935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2041+7.10 грн
2236+6.48 грн
2605+5.56 грн
2748+5.09 грн
3000+4.40 грн
12000+3.97 грн
24000+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 2041 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002NH6327XTSA2 infineon-sn7002n-datasheet-v02_07-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 34659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
932+15.56 грн
1751+8.28 грн
2159+6.71 грн
2385+5.86 грн
3145+4.11 грн
6000+3.53 грн
9000+2.90 грн
15000+2.87 грн
21000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 932 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002NH6327XTSA2 infineon-sn7002n-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 111418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.17 грн
20+15.62 грн
50+11.29 грн
100+9.23 грн
500+6.84 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002NH6327XTSA2 SN7002NH6327XTSA2.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.36W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 0.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
на замовлення 9050 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+29.52 грн
26+16.53 грн
50+11.11 грн
100+9.11 грн
244+3.90 грн
669+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002NH6327XTSA2 infineon_sn7002n_datasheet_en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 200mA SOT-23-3
на замовлення 34405 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.31 грн
18+17.86 грн
100+10.82 грн
500+7.21 грн
1000+6.62 грн
3000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002NH6327XTSA2 infineon-sn7002n-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SN7002NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SipMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
на замовлення 6416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.