Інші пропозиції SN7002NH6327XTSA2 за ціною від 2.63 грн до 21.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SN7002NH6327XTSA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
SN7002NH6327XTSA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
SN7002NH6327XTSA2 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 26µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 240000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
SN7002NH6327XTSA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 52935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
SN7002NH6327XTSA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 34659 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
SN7002NH6327XTSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
на замовлення 625 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
SN7002NH6327XTSA2 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 26µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 240557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
SN7002NH6327XTSA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - SN7002NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 7.5 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SipMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| SN7002NH6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.32 грн |
| 9000+ | 3.55 грн |
| 24000+ | 3.39 грн |
| SN7002NH6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3261+ | 4.34 грн |
| 9000+ | 3.56 грн |
| 24000+ | 3.40 грн |
| SN7002NH6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 240000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.47 грн |
| 6000+ | 3.87 грн |
| 9000+ | 3.65 грн |
| 15000+ | 3.19 грн |
| 21000+ | 3.06 грн |
| 30000+ | 2.92 грн |
| SN7002NH6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 52935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2041+ | 6.93 грн |
| 2236+ | 6.33 грн |
| 2605+ | 5.43 грн |
| 2748+ | 4.96 грн |
| 3000+ | 4.29 грн |
| 12000+ | 3.87 грн |
| 24000+ | 3.63 грн |
| SN7002NH6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 34659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 932+ | 15.19 грн |
| 1751+ | 8.08 грн |
| 2159+ | 6.55 грн |
| 2385+ | 5.72 грн |
| 3145+ | 4.02 грн |
| 6000+ | 3.44 грн |
| 9000+ | 2.83 грн |
| 15000+ | 2.80 грн |
| 21000+ | 2.63 грн |
| SN7002NH6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 625 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 21+ | 21.43 грн |
| 33+ | 12.93 грн |
| 53+ | 7.94 грн |
| 100+ | 6.49 грн |
| 500+ | 4.47 грн |
| SN7002NH6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 240557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 21.70 грн |
| 24+ | 12.69 грн |
| 100+ | 7.92 грн |
| 500+ | 5.48 грн |
| 1000+ | 4.85 грн |
| SN7002NH6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SN7002NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SipMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - SN7002NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SipMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







