Продукція > ONSEMI > SNSS20101JT1G

SNSS20101JT1G onsemi


NSS20101JT1G-SNSS20101JT1G.PDF
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 20V 1A SC-89-3
Supplier Device Package: SC-89-3
Frequency - Transition: 350MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 100mA, 1A
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+46.18 грн
11+27.50 грн
100+17.59 грн
500+12.49 грн
1000+11.19 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SNSS20101JT1G onsemi

Description: TRANS NPN 20V 1A SC-89-3, Power - Max: 225 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: SC-89-3, Frequency - Transition: 350MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 100mA, 1A, Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-89, SOT-490, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SNSS20101JT1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SNSS20101JT1G onsemi NSS20101J_D-2318513.pdf Bipolar Transistors - BJT 20V NPN LOW VCE(SAT)
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SNSS20101JT1G NSS20101J_D-2318513.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 20V NPN LOW VCE(SAT)
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.