Продукція > ONSEMI > SNSS35200MR6T1G
SNSS35200MR6T1G

SNSS35200MR6T1G ONSEMI

ONSMS36038-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SNSS35200MR6T1G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SNSS35200MR6T1G ONSEMI

Description: TRANS PNP 35V 2A 6-TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: 6-TSOP, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V, Power - Max: 625 mW.

Інші пропозиції SNSS35200MR6T1G за ціною від 18.79 грн до 73.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SNSS35200MR6T1G SNSS35200MR6T1G Виробник : onsemi Description: TRANS PNP 35V 2A 6-TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.83 грн
10+44.19 грн
100+28.79 грн
500+20.80 грн
1000+18.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SNSS35200MR6T1G SNSS35200MR6T1G Виробник : onsemi Description: TRANS PNP 35V 2A 6-TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SNSS35200MR6T1G Виробник : ON Semiconductor NSS35200MR6_D-2318605.pdf Bipolar Transistors - BJT SSP LOW VCES 30V NPN XTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.