SP8J5FRATB ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - SP8J5FRATB - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 84.42 грн |
| 500+ | 67.7 грн |
| 1000+ | 55.18 грн |
| 2500+ | 51.1 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SP8J5FRATB ROHM
Description: ROHM - SP8J5FRATB - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.02 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції SP8J5FRATB за ціною від 51.1 грн до 176.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SP8J5FRATB | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - SP8J5FRATB - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.02 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 4261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SP8J5FRATB | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET 4V P-CHANNEL DRIVE DUAL |
на замовлення 2612 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SP8J5FRATB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 4V DRIVE PCH+PCH MOSFET (CORRESP |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| SP8J5FRATB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -7A; Idm: -28A; 2W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 2W Pulsed drain current: -28A Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: P-MOSFET x2 Drain-source voltage: -30V Drain current: -7A On-state resistance: 42mΩ Gate charge: 25nC Features of semiconductor devices: ESD protected gate Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
SP8J5FRATB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 4V DRIVE PCH+PCH MOSFET (CORRESP |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SP8J5FRATB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -7A; Idm: -28A; 2W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 2W Pulsed drain current: -28A Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: P-MOSFET x2 Drain-source voltage: -30V Drain current: -7A On-state resistance: 42mΩ Gate charge: 25nC Features of semiconductor devices: ESD protected gate Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |