Продукція > ROHM > SP8K1FRATB
SP8K1FRATB

SP8K1FRATB ROHM

sp8k1fra-e Виробник: ROHM
Description: ROHM - SP8K1FRATB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.036 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.036ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.036ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+46.2 грн
500+ 36.4 грн
1000+ 24.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SP8K1FRATB ROHM

Description: ROHM - SP8K1FRATB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.036 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.036ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.036ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції SP8K1FRATB за ціною від 24.33 грн до 97.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SP8K1FRATB SP8K1FRATB Виробник : ROHM sp8k1fra-e Description: ROHM - SP8K1FRATB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.036 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.036ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.036ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+81.97 грн
13+ 62 грн
100+ 46.2 грн
500+ 36.4 грн
1000+ 24.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
SP8K1FRATB SP8K1FRATB Виробник : ROHM Semiconductor sp8k1fra-e MOSFET 30V Nch+Nch Power MOSFET - SP8K1FRA is a Power MOSFET with Low on-resistance, suitable for switching. It is a highly reliable product for automotive.
на замовлення 2401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+97.65 грн
10+ 86.32 грн
100+ 58.12 грн
500+ 48.09 грн
1000+ 38 грн
2500+ 36.73 грн
5000+ 35.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
SP8K1FRATB SP8K1FRATB Виробник : Rohm Semiconductor sp8k1fra-e Description: 30V NCH+NCH POWER MOSFET - SP8K1
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SP8K1FRATB SP8K1FRATB Виробник : Rohm Semiconductor sp8k1fra-e Description: 30V NCH+NCH POWER MOSFET - SP8K1
товар відсутній