SP8K1FRATB ROHM
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SP8K1FRATB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.051 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.051ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 47.38 грн |
| 500+ | 35.78 грн |
| 1000+ | 30.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SP8K1FRATB ROHM
Description: ROHM - SP8K1FRATB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.051 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.051ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SP8K1FRATB за ціною від 30.25 грн до 102.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SP8K1FRATB | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - SP8K1FRATB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.051 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.051ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SP8K1FRATB | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 30V Nch+Nch Power MOSFET |
на замовлення 2377 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SP8K1FRATB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 30V NCH+NCH POWER MOSFET - SP8K1 |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
SP8K1FRATB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 30V NCH+NCH POWER MOSFET - SP8K1 |
товару немає в наявності |
