Продукція > ROHM > SP8K1FRATB
SP8K1FRATB

SP8K1FRATB ROHM

sp8k1fra-e Виробник: ROHM
Description: ROHM - SP8K1FRATB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.036 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.036ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.036ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+57.22 грн
500+38.76 грн
1000+29.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SP8K1FRATB ROHM

Description: ROHM - SP8K1FRATB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.036 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.036ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.036ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SP8K1FRATB за ціною від 29.78 грн до 103.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SP8K1FRATB SP8K1FRATB Виробник : ROHM sp8k1fra-e Description: ROHM - SP8K1FRATB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.036 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.036ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.036ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+102.09 грн
10+82.33 грн
100+57.22 грн
500+38.76 грн
1000+29.78 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K1FRATB SP8K1FRATB Виробник : ROHM Semiconductor sp8k1fra-e MOSFETs 30V Nch+Nch Power MOSFET - SP8K1FRA is a Power MOSFET with Low on-resistance, suitable for switching. It is a highly reliable product for automotive.
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.60 грн
10+82.46 грн
100+49.61 грн
500+40.22 грн
1000+37.21 грн
2500+34.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K1FRATB SP8K1FRATB Виробник : Rohm Semiconductor sp8k1fra-e Description: 30V NCH+NCH POWER MOSFET - SP8K1
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K1FRATB SP8K1FRATB Виробник : Rohm Semiconductor sp8k1fra-e Description: 30V NCH+NCH POWER MOSFET - SP8K1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.