Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SP8K2HZGTB
SP8K2HZGTB

SP8K2HZGTB Rohm Semiconductor

sp8k2hzgtb-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
125+113.91 грн
500+91.82 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SP8K2HZGTB Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SP8K2HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.021 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SP8K2HZGTB за ціною від 58.09 грн до 205.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SP8K2HZGTB SP8K2HZGTB Rohm Semiconductor sp8k2hzgtb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+134.36 грн
112+127.29 грн
124+114.33 грн
200+106.04 грн
500+67.88 грн
1000+60.72 грн
2000+58.09 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K2HZGTB SP8K2HZGTB Rohm Semiconductor datasheet?p=SP8K2HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.4W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.35 грн
10+127.97 грн
100+88.07 грн
500+66.61 грн
1000+61.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K2HZGTB SP8K2HZGTB ROHM Semiconductor datasheet?p=SP8K2HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs AECQ
на замовлення 3960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K2HZGTB SP8K2HZGTB ROHM datasheet?p=SP8K2HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - SP8K2HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K2HZGTB sp8k2hzgtb-e.pdf
SP8K2HZGTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
106+134.36 грн
112+127.29 грн
124+114.33 грн
200+106.04 грн
500+67.88 грн
1000+60.72 грн
2000+58.09 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K2HZGTB datasheet?p=SP8K2HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SP8K2HZGTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.4W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+205.35 грн
10+127.97 грн
100+88.07 грн
500+66.61 грн
1000+61.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K2HZGTB datasheet?p=SP8K2HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SP8K2HZGTB
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs AECQ
на замовлення 3960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K2HZGTB datasheet?p=SP8K2HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SP8K2HZGTB
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SP8K2HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.