Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SP8K31HZGTB
SP8K31HZGTB

SP8K31HZGTB Rohm Semiconductor

datasheet?p=SP8K31HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+39.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SP8K31HZGTB Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SP8K31HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.085 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SP8K31HZGTB за ціною від 42.81 грн до 190.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SP8K31HZGTB SP8K31HZGTB Rohm Semiconductor sp8k31hzgtb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+64.20 грн
250+61.63 грн
500+59.40 грн
1000+55.42 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K31HZGTB SP8K31HZGTB Rohm Semiconductor datasheet?p=SP8K31HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 4880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.33 грн
10+92.53 грн
100+62.58 грн
500+46.69 грн
1000+42.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K31HZGTB SP8K31HZGTB Rohm Semiconductor sp8k31hzgtb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+190.47 грн
117+121.63 грн
200+102.78 грн
500+78.38 грн
1000+71.22 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K31HZGTB SP8K31HZGTB ROHM Semiconductor datasheet?p=SP8K31HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs AECQ
на замовлення 2421 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K31HZGTB SP8K31HZGTB ROHM datasheet?p=SP8K31HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - SP8K31HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K31HZGTB sp8k31hzgtb-e.pdf
SP8K31HZGTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
221+64.20 грн
250+61.63 грн
500+59.40 грн
1000+55.42 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K31HZGTB datasheet?p=SP8K31HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SP8K31HZGTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 4880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+150.33 грн
10+92.53 грн
100+62.58 грн
500+46.69 грн
1000+42.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K31HZGTB sp8k31hzgtb-e.pdf
SP8K31HZGTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
93+190.47 грн
117+121.63 грн
200+102.78 грн
500+78.38 грн
1000+71.22 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K31HZGTB datasheet?p=SP8K31HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SP8K31HZGTB
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs AECQ
на замовлення 2421 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K31HZGTB datasheet?p=SP8K31HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SP8K31HZGTB
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SP8K31HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.