Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SP8K32HZGTB
SP8K32HZGTB

SP8K32HZGTB Rohm Semiconductor

sp8k32hzgtb-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
145+98.00 грн
152+93.61 грн
250+89.86 грн
500+83.52 грн
1000+74.82 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SP8K32HZGTB Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SP8K32HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SP8K32HZGTB за ціною від 46.46 грн до 192.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SP8K32HZGTB SP8K32HZGTB ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=SP8K32HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.5A; Idm: 18A; 2W; SOP8; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 1289 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+155.34 грн
10+92.59 грн
100+62.73 грн
500+50.32 грн
1000+46.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K32HZGTB SP8K32HZGTB Rohm Semiconductor datasheet?p=SP8K32HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.52 грн
10+104.39 грн
100+71.00 грн
500+53.21 грн
1000+48.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K32HZGTB SP8K32HZGTB Rohm Semiconductor sp8k32hzgtb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+192.35 грн
106+133.89 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K32HZGTB SP8K32HZGTB ROHM Semiconductor datasheet?p=SP8K32HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs AECQ
на замовлення 4617 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K32HZGTB SP8K32HZGTB ROHM sp8k32hzgtb-e.pdf Description: ROHM - SP8K32HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K32HZGTB datasheet?p=SP8K32HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SP8K32HZGTB
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.5A; Idm: 18A; 2W; SOP8; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 1289 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+155.34 грн
10+92.59 грн
100+62.73 грн
500+50.32 грн
1000+46.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K32HZGTB datasheet?p=SP8K32HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SP8K32HZGTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+168.52 грн
10+104.39 грн
100+71.00 грн
500+53.21 грн
1000+48.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K32HZGTB sp8k32hzgtb-e.pdf
SP8K32HZGTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
74+192.35 грн
106+133.89 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K32HZGTB datasheet?p=SP8K32HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SP8K32HZGTB
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs AECQ
на замовлення 4617 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K32HZGTB sp8k32hzgtb-e.pdf
SP8K32HZGTB
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SP8K32HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.