SP8K32HZGTB Rohm Semiconductor
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 145+ | 84.54 грн |
| 152+ | 80.75 грн |
| 250+ | 77.52 грн |
| 500+ | 72.05 грн |
| 1000+ | 64.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SP8K32HZGTB Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SP8K32HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SP8K32HZGTB за ціною від 33.41 грн до 175.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SP8K32HZGTB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
 Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.5A; Idm: 18A; 2W; SOP8; ESD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Kind of package: reel; tape Version: ESD Gate charge: 7nC Case: SOP8 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 18A Type of transistor: N-MOSFET x2 Mounting: SMD On-state resistance: 77mΩ Power dissipation: 2W Drain current: 4.5A |
на замовлення 2338 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SP8K32HZGTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SP8K32HZGTB | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - SP8K32HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SP8K32HZGTB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.5A; Idm: 18A; 2W; SOP8; ESD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Kind of package: reel; tape Version: ESD Gate charge: 7nC Case: SOP8 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 18A Type of transistor: N-MOSFET x2 Mounting: SMD On-state resistance: 77mΩ Power dissipation: 2W Drain current: 4.5A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2338 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SP8K32HZGTB | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs AECQ |
на замовлення 4647 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SP8K32HZGTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP |
на замовлення 2114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SP8K32HZGTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP |
товару немає в наявності |