Продукція > ROHM > SP8K33HZGTB
SP8K33HZGTB

SP8K33HZGTB ROHM

datasheet?p=SP8K33HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: ROHM
Description: ROHM - SP8K33HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 5 A, 5 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+95.47 грн
500+60.48 грн
1000+45.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SP8K33HZGTB ROHM

Description: ROHM - SP8K33HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 5 A, 5 A, 0.034 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SP8K33HZGTB за ціною від 45.62 грн до 216.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SP8K33HZGTB SP8K33HZGTB Виробник : Rohm Semiconductor sp8k33hzgtb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOP T/R
на замовлення 1199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
88+140.37 грн
128+96.65 грн
Мінімальне замовлення: 88
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K33HZGTB SP8K33HZGTB Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=SP8K33HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs AECQ
на замовлення 2258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+203.84 грн
10+130.78 грн
100+77.57 грн
500+62.96 грн
1000+60.32 грн
2500+53.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K33HZGTB SP8K33HZGTB Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=SP8K33HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+209.37 грн
10+130.46 грн
100+89.61 грн
500+67.70 грн
1000+62.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K33HZGTB SP8K33HZGTB Виробник : ROHM datasheet?p=SP8K33HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - SP8K33HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 5 A, 5 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+216.28 грн
10+136.86 грн
100+95.47 грн
500+60.48 грн
1000+45.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K33HZGTB SP8K33HZGTB Виробник : Rohm Semiconductor sp8k33hzgtb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K33HZGTB SP8K33HZGTB Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=SP8K33HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.