Продукція > ROHM > SP8K41HZGTB
SP8K41HZGTB

SP8K41HZGTB ROHM

datasheet?p=SP8K41HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: ROHM
Description: ROHM - SP8K41HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.09 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+95.24 грн
500+65.46 грн
1000+55.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SP8K41HZGTB ROHM

Description: ROHM - SP8K41HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.09 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.4A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SP8K41HZGTB за ціною від 55.26 грн до 209.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SP8K41HZGTB SP8K41HZGTB Виробник : Rohm Semiconductor sp8k41hzgtb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 3.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
104+117.69 грн
Мінімальне замовлення: 104
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K41HZGTB SP8K41HZGTB Виробник : Rohm Semiconductor sp8k41hzgtb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 3.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
73+168.37 грн
86+143.02 грн
100+121.72 грн
200+111.50 грн
500+96.90 грн
1000+86.94 грн
2500+80.16 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K41HZGTB SP8K41HZGTB Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=SP8K41HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs AECQ
на замовлення 2453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.48 грн
10+134.36 грн
100+84.90 грн
500+68.14 грн
1000+62.77 грн
2500+58.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K41HZGTB SP8K41HZGTB Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=SP8K41HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+197.81 грн
10+123.29 грн
100+84.88 грн
500+64.20 грн
1000+59.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K41HZGTB SP8K41HZGTB Виробник : ROHM datasheet?p=SP8K41HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - SP8K41HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.09 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+209.21 грн
10+136.76 грн
100+95.24 грн
500+65.46 грн
1000+55.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K41HZGTB SP8K41HZGTB Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=SP8K41HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.