Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SP8K41HZGTB
SP8K41HZGTB

SP8K41HZGTB Rohm Semiconductor

sp8k41hzgtb-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 3.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
104+136.76 грн
Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SP8K41HZGTB Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SP8K41HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.13 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.4A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V, MSL: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції SP8K41HZGTB за ціною від 58.47 грн до 195.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SP8K41HZGTB SP8K41HZGTB Rohm Semiconductor datasheet?p=SP8K41HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.28 грн
10+121.71 грн
100+83.79 грн
500+63.38 грн
1000+58.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K41HZGTB SP8K41HZGTB Rohm Semiconductor sp8k41hzgtb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 3.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+195.65 грн
86+166.19 грн
100+141.44 грн
200+129.56 грн
500+112.60 грн
1000+101.02 грн
2500+93.15 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K41HZGTB SP8K41HZGTB ROHM Semiconductor datasheet?p=SP8K41HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs AECQ
на замовлення 1567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K41HZGTB SP8K41HZGTB ROHM sp8k41hzgtb-e.pdf Description: ROHM - SP8K41HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K41HZGTB SP8K41HZGTB ROHM sp8k41hzgtb-e.pdf Description: ROHM - SP8K41HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K41HZGTB datasheet?p=SP8K41HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SP8K41HZGTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+195.28 грн
10+121.71 грн
100+83.79 грн
500+63.38 грн
1000+58.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K41HZGTB sp8k41hzgtb-e.pdf
SP8K41HZGTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 3.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
73+195.65 грн
86+166.19 грн
100+141.44 грн
200+129.56 грн
500+112.60 грн
1000+101.02 грн
2500+93.15 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K41HZGTB datasheet?p=SP8K41HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SP8K41HZGTB
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs AECQ
на замовлення 1567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K41HZGTB sp8k41hzgtb-e.pdf
SP8K41HZGTB
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SP8K41HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K41HZGTB sp8k41hzgtb-e.pdf
SP8K41HZGTB
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SP8K41HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.