SP8K52FRATB Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 72.50 грн |
| 10+ | 57.04 грн |
| 100+ | 44.35 грн |
| 500+ | 35.28 грн |
| 1000+ | 28.74 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
5 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SP8K52FRATB Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SP8K52FRATB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3 A, 3 A, 0.17 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції SP8K52FRATB за ціною від 30.20 грн до 87.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SP8K52FRATB | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Nch+Nch 100V Vds 3A 0.135Rds(on) 8.5Qg |
на замовлення 411 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SP8K52FRATB | ROHM |
Description: ROHM - SP8K52FRATB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3 A, 3 A, 0.17 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
SP8K52FRATB | ROHM |
Description: ROHM - SP8K52FRATB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3 A, 3 A, 0.17 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SP8K52FRATB |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch+Nch 100V Vds 3A 0.135Rds(on) 8.5Qg
MOSFETs Nch+Nch 100V Vds 3A 0.135Rds(on) 8.5Qg
на замовлення 411 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 87.03 грн |
| 10+ | 65.68 грн |
| 100+ | 44.46 грн |
| 500+ | 39.86 грн |
| 1000+ | 35.62 грн |
| 2500+ | 30.20 грн |
| SP8K52FRATB |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SP8K52FRATB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3 A, 3 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - SP8K52FRATB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3 A, 3 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SP8K52FRATB |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SP8K52FRATB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3 A, 3 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - SP8K52FRATB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3 A, 3 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)



