Продукція > ROHM > SP8K52FRATB
SP8K52FRATB

SP8K52FRATB ROHM

ROHM-S-A0010151695-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ROHM
Description: ROHM - SP8K52FRATB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3 A, 3 A, 0.12 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.12ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.12ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+51.29 грн
500+42.73 грн
1000+29.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SP8K52FRATB ROHM

Description: ROHM - SP8K52FRATB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3 A, 3 A, 0.12 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.12ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.12ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SP8K52FRATB за ціною від 29.58 грн до 87.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SP8K52FRATB SP8K52FRATB Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=SP8K52FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.63 грн
10+58.71 грн
100+45.65 грн
500+36.31 грн
1000+29.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K52FRATB SP8K52FRATB Виробник : ROHM ROHM-S-A0010151695-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - SP8K52FRATB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3 A, 3 A, 0.12 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.12ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.12ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+86.45 грн
13+65.95 грн
100+51.29 грн
500+42.73 грн
1000+29.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K52FRATB SP8K52FRATB Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=SP8K52FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Nch+Nch 100V Vds 3A 0.135Rds(on) 8.5Qg
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.34 грн
10+65.92 грн
100+44.62 грн
500+40.00 грн
1000+35.74 грн
2500+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K52FRATB Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=SP8K52FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key SP8K52FRATB Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K52FRATB SP8K52FRATB Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=SP8K52FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.