SP8K52HZGTB ROHM
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SP8K52HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3 A, 3 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 75.37 грн |
| 500+ | 53.26 грн |
| 1000+ | 47.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SP8K52HZGTB ROHM
Description: ROHM - SP8K52HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3 A, 3 A, 0.17 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції SP8K52HZGTB за ціною від 47.50 грн до 179.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SP8K52HZGTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SP8K52HZGTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SP8K52HZGTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active |
на замовлення 2354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SP8K52HZGTB | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET AECQ |
на замовлення 2290 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SP8K52HZGTB | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - SP8K52HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3 A, 3 A, 0.17 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SP8K52HZGTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 85 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SP8K52HZGTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
SP8K52HZGTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active |
товару немає в наявності |
