Продукція > ROHM > SP8K52HZGTB
SP8K52HZGTB

SP8K52HZGTB ROHM

sp8k52hzgtb-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SP8K52HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3 A, 3 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+74.82 грн
500+52.87 грн
1000+47.15 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SP8K52HZGTB ROHM

Description: ROHM - SP8K52HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3 A, 3 A, 0.17 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції SP8K52HZGTB за ціною від 47.15 грн до 175.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SP8K52HZGTB SP8K52HZGTB Rohm Semiconductor datasheet?p=SP8K52HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.48 грн
10+98.72 грн
100+78.59 грн
500+62.41 грн
1000+52.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K52HZGTB SP8K52HZGTB ROHM Semiconductor datasheet?p=SP8K52HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET AECQ
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.67 грн
10+106.38 грн
100+73.87 грн
250+70.41 грн
500+61.44 грн
1000+52.74 грн
2500+49.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K52HZGTB SP8K52HZGTB ROHM datasheet?p=SP8K52HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - SP8K52HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3 A, 3 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+175.58 грн
10+101.48 грн
100+74.82 грн
500+52.87 грн
1000+47.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K52HZGTB datasheet?p=SP8K52HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SP8K52HZGTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+123.48 грн
10+98.72 грн
100+78.59 грн
500+62.41 грн
1000+52.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K52HZGTB datasheet?p=SP8K52HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SP8K52HZGTB
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET AECQ
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+129.67 грн
10+106.38 грн
100+73.87 грн
250+70.41 грн
500+61.44 грн
1000+52.74 грн
2500+49.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K52HZGTB datasheet?p=SP8K52HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SP8K52HZGTB
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SP8K52HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3 A, 3 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+175.58 грн
10+101.48 грн
100+74.82 грн
500+52.87 грн
1000+47.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.