SP8M24HZGTB Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 111+ | 127.52 грн |
| 132+ | 107.16 грн |
| 250+ | 99.20 грн |
| 500+ | 88.53 грн |
| 1000+ | 82.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SP8M24HZGTB Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SP8M24HZGTB - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 45 V, 45 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 45V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 45V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.063ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 45V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SP8M24HZGTB за ціною від 50.16 грн до 208.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SP8M24HZGTB | Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET N/P-CH 45V 4.5A 8SOPPart Status: Active Supplier Device Package: 8-SOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 5V, 18.2nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V, 63mOhm @ 3.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V, 1700pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 3.5A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 45V Power - Max: 1.4W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1057 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SP8M24HZGTB | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 45V 4.5A/3.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SP8M24HZGTB | ROHM Semiconductor |
MOSFETs SOP8 NPCH 45V 4.5A |
на замовлення 4285 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
SP8M24HZGTB | ROHM |
Description: ROHM - SP8M24HZGTB - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 45 V, 45 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 45V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.063ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 45V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
SP8M24HZGTB | ROHM |
Description: ROHM - SP8M24HZGTB - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 45 V, 45 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 45V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.063ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 45V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SP8M24HZGTB |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 45V 4.5A 8SOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 5V, 18.2nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V, 63mOhm @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V, 1700pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 3.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Power - Max: 1.4W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N/P-CH 45V 4.5A 8SOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 5V, 18.2nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V, 63mOhm @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V, 1700pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 3.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Power - Max: 1.4W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 161.18 грн |
| 10+ | 99.69 грн |
| 100+ | 68.02 грн |
| 500+ | 51.13 грн |
| 1000+ | 50.16 грн |
| SP8M24HZGTB |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 45V 4.5A/3.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N/P-CH 45V 4.5A/3.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 68+ | 208.38 грн |
| 100+ | 144.26 грн |
| 200+ | 133.89 грн |
| 500+ | 100.01 грн |
| 1000+ | 86.71 грн |
| 2000+ | 67.57 грн |
| SP8M24HZGTB |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs SOP8 NPCH 45V 4.5A
MOSFETs SOP8 NPCH 45V 4.5A
на замовлення 4285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SP8M24HZGTB |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SP8M24HZGTB - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 45 V, 45 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.063ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 45V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - SP8M24HZGTB - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 45 V, 45 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.063ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 45V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SP8M24HZGTB |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SP8M24HZGTB - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 45 V, 45 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.063ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 45V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - SP8M24HZGTB - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 45 V, 45 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.063ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 45V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)