Продукція > ROHM > SP8M3HZGTB
SP8M3HZGTB

SP8M3HZGTB ROHM

sp8m3hzgtb-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SP8M3HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.036 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.036ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.036ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+57.42 грн
500+42.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SP8M3HZGTB ROHM

Description: ROHM - SP8M3HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.036 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.036ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.036ohm, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції SP8M3HZGTB за ціною від 38.73 грн до 156.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SP8M3HZGTB SP8M3HZGTB Rohm Semiconductor sp8m3hzgtb-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+90.21 грн
500+71.80 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M3HZGTB SP8M3HZGTB ROHM sp8m3hzgtb-e.pdf Description: ROHM - SP8M3HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.036 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.036ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.036ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+132.89 грн
50+84.57 грн
100+57.42 грн
500+42.40 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M3HZGTB SP8M3HZGTB Rohm Semiconductor datasheet?p=SP8M3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 30V 5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V, 850pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V, 56mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V, 8.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 1704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.34 грн
10+91.39 грн
100+61.92 грн
500+46.25 грн
1000+42.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M3HZGTB SP8M3HZGTB Rohm Semiconductor sp8m3hzgtb-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+149.04 грн
134+106.29 грн
185+76.80 грн
500+60.34 грн
1000+52.52 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M3HZGTB SP8M3HZGTB ROHM Semiconductor datasheet?p=SP8M3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs AECQ
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+156.25 грн
10+92.89 грн
100+56.82 грн
500+46.05 грн
1000+42.25 грн
2500+38.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M3HZGTB sp8m3hzgtb-e.pdf
SP8M3HZGTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
158+90.21 грн
500+71.80 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M3HZGTB sp8m3hzgtb-e.pdf
SP8M3HZGTB
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SP8M3HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.036 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.036ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.036ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+132.89 грн
50+84.57 грн
100+57.42 грн
500+42.40 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M3HZGTB datasheet?p=SP8M3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SP8M3HZGTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V, 850pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V, 56mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V, 8.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 1704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+148.34 грн
10+91.39 грн
100+61.92 грн
500+46.25 грн
1000+42.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M3HZGTB sp8m3hzgtb-e.pdf
SP8M3HZGTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
96+149.04 грн
134+106.29 грн
185+76.80 грн
500+60.34 грн
1000+52.52 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M3HZGTB datasheet?p=SP8M3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SP8M3HZGTB
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs AECQ
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+156.25 грн
10+92.89 грн
100+56.82 грн
500+46.05 грн
1000+42.25 грн
2500+38.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.