Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SP8M3HZGTB
SP8M3HZGTB

SP8M3HZGTB ROHM SEMICONDUCTOR

datasheet?p=SP8M3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; 30V; 5A; 2W; SOP8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1335 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
120+49.79 грн
300+42.08 грн
500+41.15 грн
1000+36.40 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SP8M3HZGTB ROHM SEMICONDUCTOR

Description: ROHM - SP8M3HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.036 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.036ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.036ohm, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції SP8M3HZGTB за ціною від 47.56 грн до 155.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SP8M3HZGTB SP8M3HZGTB Rohm Semiconductor sp8m3hzgtb-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+90.01 грн
500+71.64 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M3HZGTB SP8M3HZGTB Rohm Semiconductor datasheet?p=SP8M3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 30V 5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V, 850pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V, 56mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V, 8.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 1684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.04 грн
10+93.99 грн
50+71.09 грн
100+59.75 грн
500+47.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M3HZGTB SP8M3HZGTB Rohm Semiconductor sp8m3hzgtb-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+155.76 грн
10+111.58 грн
100+80.92 грн
500+63.70 грн
1000+54.23 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M3HZGTB SP8M3HZGTB Rohm Semiconductor sp8m3hzgtb-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+155.76 грн
127+111.58 грн
175+80.92 грн
500+63.70 грн
1000+54.23 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M3HZGTB SP8M3HZGTB ROHM Semiconductor datasheet?p=SP8M3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs AECQ
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M3HZGTB SP8M3HZGTB ROHM sp8m3hzgtb-e.pdf Description: ROHM - SP8M3HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.036 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.036ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.036ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M3HZGTB SP8M3HZGTB ROHM sp8m3hzgtb-e.pdf Description: ROHM - SP8M3HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.036 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.036ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.036ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M3HZGTB sp8m3hzgtb-e.pdf
SP8M3HZGTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
158+90.01 грн
500+71.64 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M3HZGTB datasheet?p=SP8M3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SP8M3HZGTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V, 850pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V, 56mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V, 8.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 1684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+153.04 грн
10+93.99 грн
50+71.09 грн
100+59.75 грн
500+47.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M3HZGTB sp8m3hzgtb-e.pdf
SP8M3HZGTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+155.76 грн
10+111.58 грн
100+80.92 грн
500+63.70 грн
1000+54.23 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M3HZGTB sp8m3hzgtb-e.pdf
SP8M3HZGTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
91+155.76 грн
127+111.58 грн
175+80.92 грн
500+63.70 грн
1000+54.23 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M3HZGTB datasheet?p=SP8M3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SP8M3HZGTB
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs AECQ
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M3HZGTB sp8m3hzgtb-e.pdf
SP8M3HZGTB
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SP8M3HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.036 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.036ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.036ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M3HZGTB sp8m3hzgtb-e.pdf
SP8M3HZGTB
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SP8M3HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.036 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.036ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.036ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.