SP8M4FRATB ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - SP8M4FRATB - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012
Anzahl der Pins: 8
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: SOP
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 2
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30
Verlustleistung, p-Kanal: 2
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012
Dauer-Drainstrom Id: 9
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 2
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 236.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SP8M4FRATB ROHM
Description: ROHM - SP8M4FRATB - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.012 ohm, tariffCode: 85412900, Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150, productTraceability: No, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012, Anzahl der Pins: 8, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, hazardous: false, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Produktpalette: -, Bauform - Transistor: SOP, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Verlustleistung, n-Kanal: 2, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30, Verlustleistung, p-Kanal: 2, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012, Dauer-Drainstrom Id: 9, rohsPhthalatesCompliant: YES, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Transistormontage: Oberflächenmontage, Verlustleistung Pd: 2, SVHC: No SVHC (16-Jan-2020).
Інші пропозиції SP8M4FRATB за ціною від 90.96 грн до 252.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SP8M4FRATB | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs Nch+Pch 30V Vds 9A 0.017Rds(on) 15Qg |
на замовлення 602 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SP8M4FRATB | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - SP8M4FRATB - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.012 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30 usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012 Verlustleistung, p-Kanal: 2 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30 euEccn: NLR Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012 productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
 |
SP8M4FRATB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 9A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 7A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V, 2600pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V, 25nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
SP8M4FRATB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 9A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 7A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V, 2600pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V, 25nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |