Продукція > ROHM > SP8M4HZGTB
SP8M4HZGTB

SP8M4HZGTB ROHM

sp8m4hzgtb-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - SP8M4HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+106.21 грн
500+72.93 грн
1000+62.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SP8M4HZGTB ROHM

Description: ROHM - SP8M4HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.012 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SP8M4HZGTB за ціною від 62.25 грн до 224.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SP8M4HZGTB SP8M4HZGTB Виробник : Rohm Semiconductor sp8m4hzgtb-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
101+120.87 грн
115+106.56 грн
250+97.81 грн
500+85.12 грн
1000+75.84 грн
Мінімальне замовлення: 101
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M4HZGTB SP8M4HZGTB Виробник : Rohm Semiconductor sp8m4hzgtb-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
84+145.25 грн
90+135.51 грн
120+101.43 грн
200+91.55 грн
500+73.17 грн
1000+63.71 грн
2000+62.25 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M4HZGTB SP8M4HZGTB Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=SP8M4HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V, 2600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V, 25nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 1968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+170.69 грн
10+136.92 грн
100+109.02 грн
500+86.57 грн
1000+73.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M4HZGTB SP8M4HZGTB Виробник : ROHM sp8m4hzgtb-e.pdf Description: ROHM - SP8M4HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+224.76 грн
10+149.84 грн
100+106.21 грн
500+72.93 грн
1000+62.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M4HZGTB SP8M4HZGTB Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=SP8M4HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET AECQ
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M4HZGTB SP8M4HZGTB Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=SP8M4HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V, 2600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V, 25nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.