Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SP8M4HZGTB
SP8M4HZGTB

SP8M4HZGTB ROHM SEMICONDUCTOR

datasheet?p=SP8M4HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; 30V; 9A; SOP8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9A
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
41+143.60 грн
50+93.93 грн
100+88.06 грн
300+83.86 грн
500+74.64 грн
1000+73.80 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 41 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SP8M4HZGTB ROHM SEMICONDUCTOR

Description: ROHM - SP8M4HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.018 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції SP8M4HZGTB за ціною від 74.92 грн до 300.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SP8M4HZGTB SP8M4HZGTB Rohm Semiconductor datasheet?p=SP8M4HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 30V 9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V, 2600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V, 25nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 1189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.52 грн
10+142.05 грн
50+109.08 грн
100+92.40 грн
500+74.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M4HZGTB SP8M4HZGTB Rohm Semiconductor sp8m4hzgtb-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+253.58 грн
10+165.64 грн
50+152.05 грн
100+124.29 грн
500+99.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M4HZGTB SP8M4HZGTB Rohm Semiconductor sp8m4hzgtb-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+253.58 грн
86+165.64 грн
94+152.05 грн
110+124.29 грн
500+99.73 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M4HZGTB SP8M4HZGTB Rohm Semiconductor sp8m4hzgtb-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+300.31 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M4HZGTB SP8M4HZGTB ROHM Semiconductor datasheet?p=SP8M4HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs AECQ
на замовлення 2623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M4HZGTB SP8M4HZGTB ROHM sp8m4hzgtb-e.pdf Description: ROHM - SP8M4HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M4HZGTB SP8M4HZGTB ROHM sp8m4hzgtb-e.pdf Description: ROHM - SP8M4HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M4HZGTB datasheet?p=SP8M4HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SP8M4HZGTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V, 2600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V, 25nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 1189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+226.52 грн
10+142.05 грн
50+109.08 грн
100+92.40 грн
500+74.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M4HZGTB sp8m4hzgtb-e.pdf
SP8M4HZGTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+253.58 грн
10+165.64 грн
50+152.05 грн
100+124.29 грн
500+99.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M4HZGTB sp8m4hzgtb-e.pdf
SP8M4HZGTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
56+253.58 грн
86+165.64 грн
94+152.05 грн
110+124.29 грн
500+99.73 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M4HZGTB sp8m4hzgtb-e.pdf
SP8M4HZGTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
59+300.31 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M4HZGTB datasheet?p=SP8M4HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SP8M4HZGTB
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs AECQ
на замовлення 2623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M4HZGTB sp8m4hzgtb-e.pdf
SP8M4HZGTB
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SP8M4HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M4HZGTB sp8m4hzgtb-e.pdf
SP8M4HZGTB
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SP8M4HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.