Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SP8M51HZGTB
SP8M51HZGTB

SP8M51HZGTB Rohm Semiconductor

sp8m51hzgtb-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
173+81.84 грн
Мінімальне замовлення: 173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SP8M51HZGTB Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SP8M51HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 3 A, 3 A, 0.17 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SP8M51HZGTB за ціною від 50.58 грн до 198.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SP8M51HZGTB SP8M51HZGTB Rohm Semiconductor sp8m51hzgtb-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+99.93 грн
149+95.46 грн
250+91.63 грн
500+85.17 грн
1000+76.29 грн
Мінімальне замовлення: 142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M51HZGTB SP8M51HZGTB Rohm Semiconductor datasheet?p=SP8M51HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 100V 3A 8SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 5V, 12.5nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3A, 10V, 290mOhm @ 2.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 25V, 1550pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 2.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.63 грн
10+98.72 грн
100+67.32 грн
500+50.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M51HZGTB SP8M51HZGTB Rohm Semiconductor sp8m51hzgtb-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+198.01 грн
110+129.18 грн
200+126.35 грн
500+83.56 грн
1000+76.11 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M51HZGTB SP8M51HZGTB ROHM Semiconductor datasheet?p=SP8M51HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs AECQ
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M51HZGTB SP8M51HZGTB ROHM sp8m51hzgtb-e.pdf Description: ROHM - SP8M51HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 3 A, 3 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M51HZGTB SP8M51HZGTB ROHM sp8m51hzgtb-e.pdf Description: ROHM - SP8M51HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 3 A, 3 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M51HZGTB sp8m51hzgtb-e.pdf
SP8M51HZGTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
142+99.93 грн
149+95.46 грн
250+91.63 грн
500+85.17 грн
1000+76.29 грн
Мінімальне замовлення: 142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M51HZGTB datasheet?p=SP8M51HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SP8M51HZGTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 100V 3A 8SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 5V, 12.5nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3A, 10V, 290mOhm @ 2.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 25V, 1550pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 2.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+159.63 грн
10+98.72 грн
100+67.32 грн
500+50.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M51HZGTB sp8m51hzgtb-e.pdf
SP8M51HZGTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
73+198.01 грн
110+129.18 грн
200+126.35 грн
500+83.56 грн
1000+76.11 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M51HZGTB datasheet?p=SP8M51HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SP8M51HZGTB
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs AECQ
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M51HZGTB sp8m51hzgtb-e.pdf
SP8M51HZGTB
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SP8M51HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 3 A, 3 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M51HZGTB sp8m51hzgtb-e.pdf
SP8M51HZGTB
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SP8M51HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 3 A, 3 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.