SP8M51HZGTB Rohm Semiconductor
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 173+ | 71.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SP8M51HZGTB Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SP8M51HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 3 A, 3 A, 0.17 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SP8M51HZGTB за ціною від 46.31 грн до 192.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SP8M51HZGTB | Виробник : ROHM |
 Description: ROHM - SP8M51HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 3 A, 3 A, 0.17 ohmtariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SP8M51HZGTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SP8M51HZGTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N/P-CH 100V 3A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 2.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 25V, 1550pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3A, 10V, 290mOhm @ 2.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 5V, 12.5nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active |
на замовлення 718 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SP8M51HZGTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SP8M51HZGTB | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs AECQ |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SP8M51HZGTB | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - SP8M51HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 3 A, 3 A, 0.17 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SP8M51HZGTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N/P-CH 100V 3A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 2.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 25V, 1550pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3A, 10V, 290mOhm @ 2.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 5V, 12.5nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active |
товару немає в наявності |