Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SP8M6HZGTB
SP8M6HZGTB

SP8M6HZGTB Rohm Semiconductor

sp8m6hzgtb-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 5A/3.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
194+73.47 грн
250+70.53 грн
500+67.98 грн
1000+63.41 грн
2500+56.98 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 194 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SP8M6HZGTB Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SP8M6HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.051 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.051ohm, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції SP8M6HZGTB за ціною від 38.25 грн до 154.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SP8M6HZGTB SP8M6HZGTB Rohm Semiconductor datasheet?p=SP8M6HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 30V 5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V, 490pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V, 90mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V, 5.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.44 грн
10+81.85 грн
100+55.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M6HZGTB SP8M6HZGTB ROHM Semiconductor datasheet?p=SP8M6HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs AECQ
на замовлення 703 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+154.43 грн
10+89.15 грн
100+55.14 грн
500+46.22 грн
1000+41.76 грн
2500+38.83 грн
5000+38.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M6HZGTB SP8M6HZGTB ROHM sp8m6hzgtb-e.pdf Description: ROHM - SP8M6HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.051 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.051ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M6HZGTB SP8M6HZGTB ROHM sp8m6hzgtb-e.pdf Description: ROHM - SP8M6HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.051 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.051ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M6HZGTB datasheet?p=SP8M6HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SP8M6HZGTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V, 490pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V, 90mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V, 5.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+133.44 грн
10+81.85 грн
100+55.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M6HZGTB datasheet?p=SP8M6HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SP8M6HZGTB
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs AECQ
на замовлення 703 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+154.43 грн
10+89.15 грн
100+55.14 грн
500+46.22 грн
1000+41.76 грн
2500+38.83 грн
5000+38.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M6HZGTB sp8m6hzgtb-e.pdf
SP8M6HZGTB
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SP8M6HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.051 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.051ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M6HZGTB sp8m6hzgtb-e.pdf
SP8M6HZGTB
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SP8M6HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.051 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.051ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.