SPA04N80C3XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 125.86 грн |
| 10+ | 101.85 грн |
| 100+ | 71.26 грн |
| 250+ | 67.93 грн |
| 500+ | 59.8 грн |
| 1000+ | 51.21 грн |
| 2500+ | 50.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPA04N80C3XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPA04N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800, Dauer-Drainstrom Id: 4, hazardous: false, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 38, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції SPA04N80C3XKSA1 за ціною від 116.54 грн до 161.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SPA04N80C3XKSA1 | Виробник : INFINEON |
![SPP_A04N80C3_Rev[1].2.6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a3043163797a601163851748000c0](/images/adobe-acrobat.png) Description: INFINEON - SPA04N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-220F, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800 Dauer-Drainstrom Id: 4 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 38 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 euEccn: NLR Verlustleistung: 38 Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
SPA04N80C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
| SPA04N80C3XKSA1 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
 |
SPA04N80C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V |
товар відсутній |