SPA06N80C3 Infineon Technologies
на замовлення 2378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 155.83 грн |
| 10+ | 111.08 грн |
| 100+ | 76.22 грн |
| 500+ | 64.44 грн |
| 1000+ | 55.24 грн |
| 2500+ | 52.52 грн |
| 5000+ | 50.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPA06N80C3 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 39W; PG-TO220-3-FP, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 6A, Power dissipation: 39W, Case: PG-TO220-3-FP, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.9Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SPA06N80C3 за ціною від 91.97 грн до 208.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SPA06N80C3 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 39W; PG-TO220-3-FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6A Power dissipation: 39W Case: PG-TO220-3-FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SPA06N80C3 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 39W; PG-TO220-3-FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6A Power dissipation: 39W Case: PG-TO220-3-FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|