SPA08N80C3XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 71.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPA08N80C3XKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220-FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 470µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-31, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SPA08N80C3XKSA1 за ціною від 77.44 грн до 216.44 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SPA08N80C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 800V 8A TO220FP-3 CoolMOS C3 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
SPA08N80C3XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - SPA08N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.65 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Anzahl der Pins: 3Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm |
на замовлення 749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
SPA08N80C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||
SPA08N80C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.1A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 470µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V |
товар відсутній |