Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPA11N60C3
SPA11N60C3

SPA11N60C3 Infineon Technologies

Infineon-SPP_I_A11N60C3_E8185-DS-v03_03-EN.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+272.63 грн
10+261.71 грн
25+119.13 грн
100+107.68 грн
500+88.59 грн
1000+80.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPA11N60C3 Infineon Technologies

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-111, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SPA11N60C3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SPA11N60C3 Виробник : INF INFN-S-A0004269590-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 07+;
на замовлення 69400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3 Виробник : Infineon INFN-S-A0004269590-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 09+
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3 Виробник : INFINEON INFN-S-A0004269590-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw TO-220 06+
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3
Код товару: 129255
Додати до обраних Обраний товар

INFN-S-A0004269590-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3 SPA11N60C3 Виробник : Infineon Technologies INFN-S-A0004269590-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.