Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > SPA11N60C3XKSA1

SPA11N60C3XKSA1

SPx11N60C3%20%28E8185%29.pdf
Код товару: 200839
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SPA11N60C3XKSA1 за ціною від 70.60 грн до 298.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SPA11N60C3XKSA1 SPA11N60C3XKSA1 Infineon Technologies infineonsppia11n60c3dsen.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+146.88 грн
50+112.79 грн
100+106.37 грн
500+70.60 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3XKSA1 SPA11N60C3XKSA1 Infineon Technologies infineonsppia11n60c3dsen.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+147.54 грн
125+113.29 грн
133+106.83 грн
500+70.91 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3XKSA1 SPA11N60C3XKSA1 Infineon Technologies infineonsppia11n60c3dsen.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 4490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+188.58 грн
500+169.72 грн
1000+156.76 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3XKSA1 SPA11N60C3XKSA1 INFINEON INFN-S-A0004269590-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPA11N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 33W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+255.73 грн
10+139.79 грн
100+119.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3XKSA1 SPA11N60C3XKSA1 Infineon Technologies SPx11N60C3%20%28E8185%29.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 1842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+298.93 грн
50+145.66 грн
100+131.88 грн
500+101.11 грн
1000+93.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3XKSA1 infineonsppia11n60c3dsen.pdf
SPA11N60C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+146.88 грн
50+112.79 грн
100+106.37 грн
500+70.60 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3XKSA1 infineonsppia11n60c3dsen.pdf
SPA11N60C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
96+147.54 грн
125+113.29 грн
133+106.83 грн
500+70.91 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3XKSA1 infineonsppia11n60c3dsen.pdf
SPA11N60C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 4490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
188+188.58 грн
500+169.72 грн
1000+156.76 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3XKSA1 INFN-S-A0004269590-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPA11N60C3XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPA11N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 33W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+255.73 грн
10+139.79 грн
100+119.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3XKSA1 SPx11N60C3%20%28E8185%29.pdf
SPA11N60C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 1842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+298.93 грн
50+145.66 грн
100+131.88 грн
500+101.11 грн
1000+93.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.