Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > SPA11N60C3XKSA1

SPA11N60C3XKSA1

SPx11N60C3%20%28E8185%29.pdf
Код товару: 200839
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SPA11N60C3XKSA1 за ціною від 64.86 грн до 272.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SPA11N60C3XKSA1 SPA11N60C3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonsppia11n60c3dsen.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
96+134.94 грн
125+103.62 грн
133+97.71 грн
500+64.86 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3XKSA1 SPA11N60C3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonsppia11n60c3dsen.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+143.94 грн
50+110.53 грн
100+104.24 грн
500+69.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3XKSA1 SPA11N60C3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonsppia11n60c3dsen.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 4490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
188+172.48 грн
500+155.23 грн
1000+143.37 грн
Мінімальне замовлення: 188
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3XKSA1 SPA11N60C3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies SPx11N60C3%20%28E8185%29.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 1867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+244.50 грн
50+118.66 грн
100+107.37 грн
500+82.19 грн
1000+76.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3XKSA1 SPA11N60C3XKSA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0004269590-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPA11N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+272.31 грн
10+137.78 грн
100+124.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3XKSA1 SPA11N60C3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonsppia11n60c3dsen.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3XKSA1 SPA11N60C3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonsppia11n60c3dsen.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3XKSA1 SPA11N60C3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_SPP_I_A11N60C3_E8185_DS_v03_03_EN-1732247.pdf MOSFETs LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES SPx11N60C3%20%28E8185%29.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 33W; PG-TO220 FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 33W
Case: PG-TO220 FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.