SPA11N80C3 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 800, Id = 680 мкА, Ptot, Вт = 34, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1600 @ 100, Qg, нКл = 85, Rds = 0,45 Ом, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3.9 В,... Транзистори Корпус: TO-220-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPA11N80C3 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 34W; PG-TO220-3-FP, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 11A, Power dissipation: 34W, Case: PG-TO220-3-FP, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.45Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції SPA11N80C3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SPA11N80C3 | Infineon Technologies |
 MOSFETs N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
SPA11N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 34W; PG-TO220-3-FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 34W Case: PG-TO220-3-FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| SPA11N80C3 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
MOSFETs N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SPA11N80C3 | |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 34W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 34W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.