SPA11N80C3XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 78.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPA11N80C3XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPA11N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.45 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 41W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SPA11N80C3XKSA1 за ціною від 59.40 грн до 253.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SPA11N80C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SPA11N80C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 9850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SPA11N80C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 9850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SPA11N80C3 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 34W; PG-TO220-3-FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 34W Case: PG-TO220-3-FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 69 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SPA11N80C3 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3 |
на замовлення 375 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SPA11N80C3XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - SPA11N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.45 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 41W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SPA11N80C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V |
на замовлення 2211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SPA11N80C3 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 34W; PG-TO220-3-FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 34W Case: PG-TO220-3-FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 69 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SPA11N80C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3 |
на замовлення 173 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SPA11N80C3XKSA1 | Виробник : Infineon |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP SPA11N80C3XKSA1 SPA11N80C3XKSA2 SPA11N80C3 TSPA11n80c3 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 16 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
SPA11N80C3 Код товару: 119117
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|
|||||||||||||||||
 |
SPA11N80C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SPA11N80C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |