Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPA11N80C3XKSA1
SPA11N80C3XKSA1

SPA11N80C3XKSA1 Infineon Technologies

SPP_A11N80C3_Rev[1].2.6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a3043163797a60116385b2fcc00ec Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+223.62 грн
50+118.52 грн
100+115.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPA11N80C3XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - SPA11N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.39 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 41W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SPA11N80C3XKSA1 за ціною від 59.40 грн до 287.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SPA11N80C3XKSA1 SPA11N80C3XKSA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0004583437-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPA11N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.39 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+226.95 грн
10+179.09 грн
100+140.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N80C3 SPA11N80C3 Виробник : Infineon Technologies Infineon_SPA11N80C3_DS_v02_93_EN-3363593.pdf MOSFETs N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 1108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+269.50 грн
10+189.51 грн
25+148.61 грн
100+127.27 грн
250+117.71 грн
500+107.41 грн
1000+100.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N80C3XKSA1 SPA11N80C3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_SPA11N80C3_DS_v02_93_EN-3363593.pdf MOSFETs N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+287.53 грн
10+258.04 грн
25+126.54 грн
100+114.77 грн
500+92.70 грн
1000+88.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N80C3XKSA1 Виробник : Infineon SPP_A11N80C3_Rev[1].2.6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a3043163797a60116385b2fcc00ec Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP SPA11N80C3XKSA1 SPA11N80C3XKSA2 SPA11N80C3 TSPA11n80c3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+211.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N80C3 SPA11N80C3
Код товару: 119117
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+66.00 грн
10+59.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N80C3 SPA11N80C3 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 34W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N80C3 SPA11N80C3 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 34W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N80C3XKSA1 SPA11N80C3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-spa11n80c3-ds-v02_93-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N80C3XKSA1 SPA11N80C3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-spa11n80c3-ds-v02_93-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N80C3XKSA1 SPA11N80C3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-spa11n80c3-ds-v02_93-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.