
товару немає в наявності
очікується 20 шт:
20 шт - очікується
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 66.00 грн |
10+ | 59.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPA11N80C3
- MOSFET, N, COOLMOS, TO-220FP
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:800V
- Cont Current Id:11A
- On State Resistance:0.45ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:3V
- Case Style:TO-220FP
- Termination Type:Through Hole
- Operating Temperature Range:-55`C to +150`C
- SVHC:Cobalt dichloride
- Cont Current Id @ 25`C:11A
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Junction Temperature Tj:150`C
- Max Power Dissipation Ptot:41W
- Max Voltage Vds:800V
- Max Voltage Vgs th:3.9V
- Min Junction Temperature, Tj:-55`C
- No. of Pins:3
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation:41W
- Power Dissipation Pd:41W
- Pulse Current Idm:33A
- Voltage Vds:800V
- Transistor Case Style:TO-220FP
Інші пропозиції SPA11N80C3 за ціною від 72.87 грн до 248.26 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SPA11N80C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SPA11N80C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SPA11N80C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 9850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SPA11N80C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 9850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SPA11N80C3 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 34W; PG-TO220-3-FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 34W Case: PG-TO220-3-FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SPA11N80C3 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 402 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SPA11N80C3XKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 41W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SPA11N80C3 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 34W; PG-TO220-3-FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 34W Case: PG-TO220-3-FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 23 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SPA11N80C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V |
на замовлення 2211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SPA11N80C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 185 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
SPA11N80C3XKSA1 | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 16 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
SPA11N80C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
SPA11N80C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
NTC термістор B57861S0103F040 10K 1% 3988K (Epcos) Код товару: 44726
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Пасивні компоненти > Термістори
Опис: NTC термістор, 10 KOhm, 3988K 1%, B = 0.3%, Pmax. = 60mW
Опір: 10 kOhm
Застосування: Вимірювальні
Тип: NTC
Опис: NTC термістор, 10 KOhm, 3988K 1%, B = 0.3%, Pmax. = 60mW
Опір: 10 kOhm
Застосування: Вимірювальні
Тип: NTC
у наявності: 570 шт
480 шт - склад
30 шт - РАДІОМАГ-Київ
30 шт - РАДІОМАГ-Львів
30 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
30 шт - РАДІОМАГ-Київ
30 шт - РАДІОМАГ-Львів
30 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
30 шт
30 шт - очікується
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 44.00 грн |
10+ | 40.00 грн |
100+ | 36.00 грн |
TOP222GN-TL Код товару: 43493
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF840ASPBF (транзистор біполярный NPN) Код товару: 43368
Додати до обраних
Обраний товар
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SPB17N80C3 Код товару: 37324
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 800 V
Idd,A: 11 А
Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2300/88
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 800 V
Idd,A: 11 А
Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2300/88
Монтаж: SMD
у наявності: 14 шт
14 шт - склад
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 122.00 грн |
TOP242PN Код товару: 32976
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: PI
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-8
Призначення і характеристики: 85...265V
Напруга вхідна, V: 9 V
Iвых., A: 0,72 A
Fosc, kHz: 132 kHz
Темп.діапазон: -40…+150°C
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-8
Призначення і характеристики: 85...265V
Напруга вхідна, V: 9 V
Iвых., A: 0,72 A
Fosc, kHz: 132 kHz
Темп.діапазон: -40…+150°C
товару немає в наявності
очікується:
30 шт
30 шт - очікується 31.08.2025
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 155.00 грн |
10+ | 143.00 грн |