SPA15N65C3 Infineon Technologies
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 447.17 грн |
| 10+ | 395.94 грн |
| 100+ | 281.77 грн |
| 500+ | 240.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPA15N65C3 Infineon Technologies
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 34W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-31, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SPA15N65C3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| SPA15N65C3 |
 |
на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
|
SPA15N65C3 Код товару: 201065
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||
 |
SPA15N65C3 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9.4A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |