SPA17N80C3XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 2181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 145.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPA17N80C3XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPA17N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.29 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SPA17N80C3XKSA1 за ціною від 119.74 грн до 335.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SPA17N80C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SPA17N80C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SPA17N80C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SPA17N80C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SPA17N80C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 25 V |
на замовлення 313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SPA17N80C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3 |
на замовлення 422 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SPA17N80C3XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - SPA17N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.29 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SPA17N80C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 3048 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SPA17N80C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 3051 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SPA17N80C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |