Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPA20N60C3
SPA20N60C3

SPA20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C058D08A5F9CF1A6F5005056AB5A8F&compId=spp20n60c3.pdf?ci_sign=e6782b5ab7a5620fbda75de79daa9ea3abc07fdf Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 34.5W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 34.5W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+340.19 грн
5+212.97 грн
13+201.89 грн
25+194.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPA20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-111, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 34.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-111, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SPA20N60C3 за ціною від 104.13 грн до 408.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SPA20N60C3 SPA20N60C3 Виробник : Infineon Technologies Infineon-SPA20N60C3-DS-v03_02-EN.pdf MOSFETs N-Ch 600V 20.7A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+340.50 грн
10+222.88 грн
100+142.89 грн
500+117.05 грн
1000+106.41 грн
2500+105.65 грн
5000+104.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPA20N60C3 SPA20N60C3 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C058D08A5F9CF1A6F5005056AB5A8F&compId=spp20n60c3.pdf?ci_sign=e6782b5ab7a5620fbda75de79daa9ea3abc07fdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 34.5W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 34.5W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+408.23 грн
5+265.40 грн
13+242.26 грн
25+233.71 грн
50+231.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPA20N60C3
Код товару: 107978
Додати до обраних Обраний товар

INFN-S-A0004583378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPA20N60C3 SPA20N60C3 Виробник : Infineon Technologies INFN-S-A0004583378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-111
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.